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本发明涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层至顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上方的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上方的N漂移区、位于漂移区的上方...
该专利属于江苏卓远半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏卓远半导体有限公司授权不得商用。

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