【技术实现步骤摘要】
一种存储系统、操作方法及控制器
[0001]本申请涉及半导体
,尤其涉及一种存储系统、操作方法及控制器。
技术介绍
[0002]非易失性存储器已广泛用于个人计算机、电信、消费电子和其它领域。电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪存是其中最广泛使用的非易失性存储器。
[0003]根据存储器阵列的结构配置,可以将存储器件分为单存储平面类型和多存储平面类型。单存储平面类型存储器件包括被组织成单个存储平面的存储器阵列,而多存储平面类型存储器件包括被组织成多个存储平面的存储器阵列。当对多存储平面类型存储器件进行编程时,可以同时对两个或更多个存储平面进行编程以提高编程效率,这种同时对两个或更多个存储平面进行编程的编程方式称为多平面编程(multi
‑
plane program)。
[0004]采用多面编程模式固然能提高编程效率,但不可避免的会存在相邻平面干扰(neighbor plane disturb,NPD)的问题,例如,采用多平面编程的情况下,如果一个存储平面的当前字线发生编程失败(P ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储系统,其特征在于,包括:存储装置,所述存储装置包括多个存储芯片;所述多个存储芯片中的每个存储芯片均包括按照同一编号规则进行编号的多个存储平面;所述多个存储平面中的每个存储平面均包括按照同一编号规则进行编号的多个存储串;控制器,其与所述存储装置通信;所述控制器被配置为:接收写入数据;对编号相同的存储串对应的写入数据执行第一校验操作,以生成对应不同编号存储串的第一奇偶校验数据;每个第一奇偶校验数据均包括对应于不同存储平面的第一子校验数据;基于所述第一奇偶校验数据执行数据恢复操作。2.如权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述控制器还被配置为:针对每个第一奇偶校验数据,对所述第一奇偶校验数据中的所述第一子校验数据执行第二校验操作,以生成对应不同存储串的第二奇偶校验数据;基于所述第一奇偶校验数据和所述第二奇偶校验数据执行数据恢复操作。3.如权利要求2所述的存储系统,其特征在于,所述控制器还被配置为:将所述写入数据写入到所述存储装置中,以及将所述第一奇偶校验数据和所述第二奇偶校验数据存储至所述存储装置中的冗余阵列校验存储区中。4.如权利要求2所述的存储系统,其特征在于,所述多个存储平面中的每个存储平面均包括按照同一编号规则进行编号的多条字线;所述多条字线中的每条字线均包括按照同一编号规则进行编号的多个存储串;第一校验操作包括:针对每条字线,将编号相同的存储平面且编号相同的存储串对应的写入数据进行异或操作,得到对应不同存储串的第一校验数据;所述第一校验数据包括对应于不同存储平面第二子校验数据。5.如权利要求4所述的存储系统,其特征在于,第一校验操作包括:对各条字线中编号相同的存储串对应的第一校验数据进行异或操作,得到对应不同存储串的第一奇偶校验数据。6.如权利要求4所述的存储系统,其特征在于,所述第二校验操作包括:针对每条字线中的每个第一校验数据,对各个所述第二子校验数据进行异或操作,得到对应当前字线的不同存储串的第二校验数据。7.如权利要求6所述的存储系统,其特征在于,所述第二校验操作包括:对编号相同的存储串对应的第二校验数据进行异或操作,得到对应不同存储串的第二奇偶校验数据。8.如权利要求6所述的存储系统,其特征在于,所述多个存储串中的每个存储串均包括按照同一编号规则进行编号的多个逻辑存储页;第二子校验数据包括对应不同逻辑存储页的第三子校验数据;第二校验操作包括:针对每个存储串,将第一校验数据中编号相同的逻辑存储页对应的第三子校验数据进行异或操作,得到对应存储串的不同逻辑存储页的第三校验数据。9.如权利要求8所述的存储系统,其特征在于,第二校验操作包括:针对每个存储串,根据每个存储串的各个逻辑存储页的第三校验数据生成对应当前存储串的第二校验数据。
10.如权利要求2所述的存储系统,其特征在于,所述控制器具体被配置为:在当前存储平面出现编程失败的情况下,基于所述第一奇偶检验数据执行所述数据恢复操作以恢复所述写入数据。11.如权利要求10所述的存储系统,其特征在于,所述控制器具体被配置为:在多个存储平面出现编程失败的情况下,基于所述第一奇偶检验数据和所述第二奇偶检验数据执行所述数据恢复操作以恢复所述写入数据。12.如权利要求5所述的存储系统,其特征在于,还包括:第一缓存器和第二缓存器;所述第一缓存器和所述第二缓存器用于存储第一校验数据和第二校验数据。13.一种操作方法,其特征在于,所述方法应用于存储装置,所述存储装置包括多个存储芯片;所述多个存储芯片中的每个存储芯片均包括按照同一编号规则进行编号的多个存储平面;所述多个存储平面中的每个存储平面均包...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈飞,程泊轩,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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