【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电膜、导电膜的制造方法、以及温度传感器膜
[0001]本专利技术涉及一种在膜基材上具备经图案化的金属薄膜的温度传感器膜、以及用于制作温度传感器膜的导电膜及其制造方法。
技术介绍
[0002]在电子设备中使用多个温度传感器。温度传感器一般为热电偶或芯片热敏电阻。在通过热电偶或芯片热敏电阻等测定面内多个部位的温度的情形时,需要在每个测定点分别配置温度传感器,并将各温度传感器连接于印刷布线基板等,因此制造工艺会变得繁琐。另外,为了测定面内的温度分布,需要在基板上配置多个传感器,成为成本提高的主要原因。
[0003]专利文献1中提出了一种温度传感器膜,其是在膜基材上设置金属膜并将金属膜图案化,形成了测温电阻部与引线部的温度传感器膜。在将金属膜图案化的方式中,能够由1层金属膜形成测温电阻部和连接于测温电阻部的引线部,不需要将各个测温传感器利用布线进行连接的操作。另外,由于使用了膜基材,因此该温度传感器膜可挠性优异且容易应对曲面形状的元件或可挠性元件。
[0004]在将金属膜图案化而形成的温度传感器中,经由引线部对测温 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种温度传感器用导电膜,其具备:树脂膜基材,所述树脂膜基材在树脂膜的表面具备硬涂层;基底层,所述基底层设置于所述树脂膜基材的硬涂层形成面上;和金属薄膜,所述金属薄膜设置于所述基底层上,所述基底层包含至少1层无机电介质薄膜,所述硬涂层包含平均一次粒径为10nm~100nm的第一微粒,在所述硬涂层的截面中,所述第一微粒所占的面积比率为10%以上。2.如权利要求1所述的温度传感器用导电膜,其中,所述金属薄膜中,由长度1μm的粗糙度曲线求出的算术平均粗糙度为2nm~25nm。3.如权利要求1或2所述的温度传感器用导电膜,其中,所述金属薄膜中,由长度1μm的粗糙度曲线求出的均方根粗糙度为2.5nm~40nm。4.如权利要求1~3中任一项所述的温度传感器用导电膜,其中,所述硬涂层包含平均一次粒径为0.5μm~3.5μm的第二微粒。5.如权利要求4所述的温度传感器用导电膜,其中,所述硬涂层的厚度为所述第二微粒的平均一次粒径的0.5倍~1倍。6.如权利要求1~5中任一项所述的温度传感器用导电膜,其中,所述基底层包含至少1层硅系薄膜。7...
【专利技术属性】
技术研发人员:中岛一裕,梨木智刚,宫本幸大,
申请(专利权)人:日东电工株式会社,
类型:发明
国别省市:
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