导电膜及温度传感器膜制造技术

本发明专利技术提供一种在树脂膜基材上具备金属薄膜的导电膜、及树脂膜基材上的金属薄膜经图案化而得的温度传感器膜。用于制作温度传感器膜的导电膜(101)在树脂膜基材(50)的一个主面上，隔着作为基底层(20)的氧化铬薄膜(21)具备金属薄膜(10)。通过将金属薄膜图案化，形成测温电阻部与连接于测温电阻部的引线部，从而获得温度传感器膜。得温度传感器膜。得温度传感器膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电膜及温度传感器膜


[0001]本专利技术涉及一种在膜基材上具备经图案化的金属薄膜的温度传感器膜、以及用于制作温度传感器膜的导电膜及其制造方法。

技术介绍

[0002]在电子设备中使用多个温度传感器。温度传感器一般为热电偶或芯片热敏电阻。在通过热电偶或芯片热敏电阻等测定面内多个部位的温度的情形时，需要在每个测定点分别配置温度传感器，并将各温度传感器连接于印刷布线基板等，因此制造工艺会变得繁琐。另外，为了测定面内的温度分布，需要在基板上配置多个传感器，成为成本提高的主要原因。
[0003]专利文献1中提出了一种温度传感器膜，其是在膜基材上设置金属膜并将金属膜图案化，形成了测温电阻部与引线部的温度传感器膜。在将金属膜图案化的方式中，能够由1层金属膜形成测温电阻部和连接于测温电阻部的引线部，不需要将各个测温传感器利用布线进行连接的操作。另外，由于使用了膜基材，因此该温度传感器膜具有可挠性优异且容易应对大面积化的优点。
[0004]在将金属膜图案化而形成的温度传感器中，经由引线部对测温电阻部施加电压，利用金属的电阻值随温度而变化的特性来测定温度。为了提高温度测定精度，优选选用相对于温度变化的电阻变化大的材料。根据专利文献2的记载，镍对温度的敏感度(电阻变化)约为铜的2倍。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2005
‑
91045号公报
[0008]专利文献2：日本特开平7
‑
333073号公报<br/>
技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的问题
[0010]已知，镍等金属会表现出温度越高则电阻越大的特性(正特性)，对于块状的镍而言，相对于温度上升的电阻的变化率(电阻温度系数；TCR)约为6000ppm/℃。但是，本专利技术人等通过溅射法在树脂膜基材上形成镍薄膜并对其特性进行评价后发现：其TCR仅为块状的镍的一半左右，将其用作温度传感器膜时的温度测定精度尚存改善的余地。
[0011]鉴于这一点进一步加以研究的结果发现：若在树脂膜基材上形成金属薄膜后实施加热处理，则TCR上升。然而已判明：若进行加热处理，则尽管TCR会上升，但金属薄膜变得容易从树脂膜基材剥离。
[0012]鉴于该问题，本专利技术的目的在于提供一种在树脂膜基材上具备金属薄膜且金属薄膜的密合性优异的导电膜。
[0013]解决问题的技术手段
[0014]温度传感器用导电膜在树脂膜基材的一个主面上具备包含氧化铬薄膜的基底层，在基底层上具备金属薄膜。通过在树脂膜基材上设置作为基底层的氧化铬薄膜，并在其上直接设置金属薄膜或隔着其他无机薄膜设置金属薄膜，而有金属薄膜的密合性提高的倾向。
[0015]通过将该导电膜的金属薄膜图案化，可形成温度传感器膜。温度传感器膜在树脂膜基材的一个主面上具备基底层及经图案化的金属薄膜，金属薄膜被图案化为测温电阻部与引线部。也可以在树脂膜基材的两面，设置基底层及金属薄膜。
[0016]测温电阻部设置于进行温度测定的部分，且被图案化为细线。引线部被图案化为比测温电阻部大的线宽，引线部的一端连接于测温电阻部。引线部的另一端与外部电路等连接。也可以将连接器连接于引线部，经由连接器与外部电路进行连接。
[0017]基底层也可以具备氧化铬薄膜以外的薄膜。例如，也可以在氧化铬薄膜上设置氧化硅等硅系薄膜，并于其上形成金属薄膜。金属薄膜的厚度优选为20～500nm。金属薄膜的电阻温度系数优选为3000ppm/℃以上。金属薄膜也可以为包含镍或镍合金的镍系薄膜。
[0018]专利技术的效果
[0019]对于在树脂膜基材上隔着氧化铬薄膜设置有金属薄膜的导电膜、及将金属薄膜进行了图案化而成的温度传感器膜而言，金属薄膜的密合性高，且加工性、耐久性及可靠性优异。
附图说明
[0020]图1是表示导电膜的层叠构成例的剖视图。
[0021]图2是表示导电膜的层叠构成例的剖视图。
[0022]图3是温度传感器膜的俯视图。
[0023]图4是温度传感器的测温电阻部附近的放大图，A表示二线式的形状，B表示四线式的形状。
具体实施方式
[0024]图1及图2是表示用于形成温度传感器膜的导电膜的层叠构成例的剖视图，在树脂膜基材50的一个主面上具备金属薄膜10，在树脂膜基材50与金属薄膜10之间具备基底层20。通过将该导电膜101、102的金属薄膜10图案化，从而获得图3的俯视图所示的温度传感器膜110。
[0025][导电膜][0026]&lt;树脂膜基材&gt;
[0027]树脂膜基材50可以透明也可以不透明。树脂膜基材50可以为仅由树脂膜构成的树脂膜基材，也可以为如图1及图2所示，在树脂膜5的表面具备硬涂层(固化树脂层)6的树脂膜基材。树脂膜基材50的厚度并没有特别限定，一般为2～500μm左右，优选为20～300μm左右。
[0028]在树脂膜基材50的表面(在设置有硬涂层6的情形时，为树脂膜5的表面和/或硬涂层6的表面)可设置易接合层、抗静电层等。也可以在树脂膜基材50的表面，以提高与基底层20的密合性等为目的，实施电晕放电处理、紫外线照射处理、等离子体处理、溅射蚀刻处理
等处理。
[0029](树脂膜)
[0030]作为树脂膜5的树脂材料，可例举聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亚胺、聚烯烃、降冰片烯系等环状聚烯烃、聚碳酸酯、聚醚砜、聚芳酯等。从耐热性、尺寸稳定性、电特性、机械特性、耐化学品特性等观点而言，优选为聚酰亚胺或聚酯。树脂膜5的厚度并没有特别限定，一般为2～500μm左右，优选为20～300μm左右。
[0031](硬涂层)
[0032]通过在树脂膜5的表面设置硬涂层6，导电膜的硬度提高，耐擦伤性提高。硬涂层6例如可通过在树脂膜5上涂布含有固化性树脂的溶液而形成。
[0033]作为固化性树脂，可例举热固化型树脂、紫外线固化型树脂、电子束固化型树脂等。作为固化性树脂的种类，可例举聚酯系、丙烯酸系、氨基甲酸酯系、丙烯酸氨基甲酸酯系、酰胺系、有机硅系、硅酸盐系、环氧系、三聚氰胺系、氧杂环丁烷系、丙烯酸氨基甲酸酯系等各种树脂。
[0034]其中，从硬度高、能够实现紫外线固化、生产性优异的观点而言，优选为丙烯酸系树脂、丙烯酸氨基甲酸酯系树脂及环氧系树脂。尤其，从与基底层中所包含的氧化铬薄膜的密合性高的观点而言，优选为丙烯酸系树脂及丙烯酸氨基甲酸酯系树脂。紫外线固化型树脂包括紫外线固化型的单体、低聚物、聚合物等。优选使用的紫外线固化型树脂例如可例举：具有紫外线聚合性官能团的树脂，其中包含具有2个以上、特别是具有3～6个该官能团的丙烯酸系的单体或低聚物作为成分的树脂。
[0035]硬涂层6中也可以包含微粒。通过使硬涂层6中包含微粒，可调整树脂膜基材50的金属薄膜10形成面(基底层20形成面)的表面形状。作为微粒，并没有特别限制，可使用：氧化硅、氧化铝、氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种温度传感器用导电膜，其中，在树脂膜基材的一个主面上隔着基底层设置有金属薄膜，所述基底层包含氧化铬薄膜。2.如权利要求1所述的温度传感器用导电膜，其中，所述基底层的厚度为3nm～100nm。3.如权利要求1或2所述的温度传感器用导电膜，其中，所述基底层从树脂膜基材侧起包含氧化铬薄膜及硅系薄膜。4.如权利要求3所述的温度传感器用导电膜，其中，所述硅系薄膜为氧化硅薄膜。5.如权利要求3或4所述的温度传感器用导电膜，其中，所述金属薄膜与所述硅系薄膜相接。6.如权利要求1～5中任一项所述的温度传感器用导电膜，其中，所述树脂膜基材在树脂膜的表面具备硬涂层，在所述硬涂层上设置有所述基底层。7.如权利要求6所述的温度传感器用导电膜，其中，所述硬涂层包含微粒。8.如权利要求1～7中任一项所述的温度传感器用导电膜，其中，所述氧化铬薄膜与所述树脂膜基材相接。9.如权利要求1～8中任一项所述的温度传...

【专利技术属性】
技术研发人员：涩谷克则，中岛一裕，宫本幸大，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：