导电膜及温度传感器膜制造技术

技术编号:33523792 阅读:22 留言:0更新日期:2022-05-19 01:32
本发明专利技术提供一种在树脂膜基材上具备金属薄膜的导电膜、及树脂膜基材上的金属薄膜经图案化而得的温度传感器膜。用于制作温度传感器膜的导电膜(101)在树脂膜基材(50)的一个主面上,隔着作为基底层(20)的氧化铬薄膜(21)具备金属薄膜(10)。通过将金属薄膜图案化,形成测温电阻部与连接于测温电阻部的引线部,从而获得温度传感器膜。得温度传感器膜。得温度传感器膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电膜及温度传感器膜


[0001]本专利技术涉及一种在膜基材上具备经图案化的金属薄膜的温度传感器膜、以及用于制作温度传感器膜的导电膜及其制造方法。

技术介绍

[0002]在电子设备中使用多个温度传感器。温度传感器一般为热电偶或芯片热敏电阻。在通过热电偶或芯片热敏电阻等测定面内多个部位的温度的情形时,需要在每个测定点分别配置温度传感器,并将各温度传感器连接于印刷布线基板等,因此制造工艺会变得繁琐。另外,为了测定面内的温度分布,需要在基板上配置多个传感器,成为成本提高的主要原因。
[0003]专利文献1中提出了一种温度传感器膜,其是在膜基材上设置金属膜并将金属膜图案化,形成了测温电阻部与引线部的温度传感器膜。在将金属膜图案化的方式中,能够由1层金属膜形成测温电阻部和连接于测温电阻部的引线部,不需要将各个测温传感器利用布线进行连接的操作。另外,由于使用了膜基材,因此该温度传感器膜具有可挠性优异且容易应对大面积化的优点。
[0004]在将金属膜图案化而形成的温度传感器中,经由引线部对测温电阻部施加电压,利用金属的电阻值随温度而变化的特性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种温度传感器用导电膜,其中,在树脂膜基材的一个主面上隔着基底层设置有金属薄膜,所述基底层包含氧化铬薄膜。2.如权利要求1所述的温度传感器用导电膜,其中,所述基底层的厚度为3nm~100nm。3.如权利要求1或2所述的温度传感器用导电膜,其中,所述基底层从树脂膜基材侧起包含氧化铬薄膜及硅系薄膜。4.如权利要求3所述的温度传感器用导电膜,其中,所述硅系薄膜为氧化硅薄膜。5.如权利要求3或4所述的温度传感器用导电膜,其中,所述金属薄膜与所述硅系薄膜相接。6.如权利要求1~5中任一项所述的温度传感器用导电膜,其中,所述树脂膜基材在树脂膜的表面具备硬涂层,在所述硬涂层上设置有所述基底层。7.如权利要求6所述的温度传感器用导电膜,其中,所述硬涂层包含微粒。8.如权利要求1~7中任一项所述的温度传感器用导电膜,其中,所述氧化铬薄膜与所述树脂膜基材相接。9.如权利要求1~8中任一项所述的温度传...

【专利技术属性】
技术研发人员:涩谷克则中岛一裕宫本幸大
申请(专利权)人:日东电工株式会社
类型:发明
国别省市:

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