【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】温度传感器膜、导电膜及其制造方法
[0001]本专利技术涉及一种在树脂膜基材上具备经图案化的金属薄膜的温度传感器膜、以及用于制作温度传感器膜的导电膜及其制造方法。
技术介绍
[0002]在电子设备中使用多个温度传感器。温度传感器一般为热电偶或芯片热敏电阻。在通过热电偶或芯片热敏电阻等测定面内多个部位的温度的情形时,需要在每个测定点分别配置温度传感器,并将各温度传感器连接于印刷布线基板等,因此制造工艺会变得繁琐。另外,为了测定面内的温度分布,需要在基板上配置多个传感器,成为成本提高的主要原因。
[0003]专利文献1中提出了一种温度传感器膜,其是在膜基材上设置金属膜并将金属膜图案化,形成了测温电阻部与引线部的温度传感器膜。在将金属膜图案化的方式中,能够由1层金属膜形成测温电阻部和连接于测温电阻部的引线部,不需要将各个测温传感器利用布线加以连接的操作。另外,由于使用了膜基材,因此该温度传感器膜具有可挠性优异且容易应对大面积化的优点。
[0004]在将金属膜图案化而形成的温度传感器中,经由引线部对测温电阻部施加电压 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种温度传感器用导电膜,其中,在树脂膜基材的一个主面上具备镍薄膜,所述镍薄膜中,镍的(111)面的面间隔小于0.2040nm。2.如权利要求1所述的温度传感器用导电膜,其中,在所述树脂膜基材与所述镍薄膜之间具备无机基底层。3.如权利要求2所述的温度传感器用导电膜,其中,所述无机基底层包含至少1层硅系薄膜。4.如权利要求2或3所述的温度传感器用导电膜,其中,所述基底层包含氧化硅薄膜,且所述镍薄膜与所述氧化硅薄膜相接。5.如权利要求1~4中任一项所述的温度传感器用导电膜,其中,所述镍薄膜的厚度为100~500nm...
【专利技术属性】
技术研发人员:安井智史,宫本幸大,涩谷克则,
申请(专利权)人:日东电工株式会社,
类型:发明
国别省市:
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