【技术实现步骤摘要】
一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜
[0001]本技术属于透明导电薄膜
,具体涉及一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜。
技术介绍
[0002]在光电子器件的制备过程中,为与外延片形成良好的欧姆接触,并且减少对发射光源的吸收,制备一种低接触电阻和高光学透过率的透明导电薄膜至关重要。例如,常在蓝光和绿光LED芯片制备工艺中作为透明电流扩展层的ITO薄膜因吸收带隙问题在紫外芯片的制备中受到一定的限制。因此,制备一种更宽波长范围内仍有透明导电属性的薄膜势在必行。目前研究的新型薄膜主要有石墨烯薄膜;Ga2O3薄膜;优化的ITO薄膜等;
[0003]现有的新型金属掺杂ITO透明导电薄膜,在进行使用时,大多不具有耐热性能,且防潮性能差,不能很好的满足人们的使用需求。
[0004]因此针对这一现状,迫切需要设计和生产一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜,以满足实际使用的需要。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜,包括柔性透明基板(1)、外防护层(3)以及内防护层(2),其特征在于:所述外防护层(3)包括与柔性透明基板(1)外表面紧密贴合设置的石墨烯层(31)、紧密贴合设置于石墨烯层(31)外表面的紫外线阻隔层(32)以及紧密贴合设置于紫外线阻隔层(32)外表面的且用于封闭保护的保护层(33);所述内防护层(2)包括贴合连接于柔性透明基板(1)下表面的耐热层(21)、与耐热层(21)的下表面相连接的防湿层(22)以及与防湿层(22)的下表面相粘粘的抗刮防雾层(23)。2.根据权利要求1所述的一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜,其特征在于:所述石墨烯层(31)为单原子...
【专利技术属性】
技术研发人员:王强华,罗俊欣,杨兵华,
申请(专利权)人:深圳市强峰电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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