一种可避免产生漏光的ITO柔性导电膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可避免产生漏光的ITO柔性导电膜，属于导电膜技术领域，包括：防漏光膜机构和加固机构；所述防漏光膜机构包括位于底层的二氧化硅薄膜一和设置在二氧化硅薄膜一顶部的ITO薄膜一，所述ITO薄膜一的顶部设置有石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的顶部设置有ITO薄膜二；所述加固机构包括支撑在ITO薄膜二顶部外沿的二氧化硅薄膜二，所述二氧化硅薄膜二的顶部和ITO薄膜二的顶部之间均匀插接有多个二氧化硅垫片，所述ITO薄膜二的顶部均匀开设有多个和二氧化硅垫片对应的开孔。该可避免产生漏光的ITO柔性导电膜，可以避免在长时间使用后产生漏光，使用体验更好。使用体验更好。使用体验更好。

【技术实现步骤摘要】
一种可避免产生漏光的ITO柔性导电膜


[0001]本技术属于导电膜
，尤其是一种可避免产生漏光的ITO柔性导电膜。

技术介绍

[0002]ITO(In2O3:SnO2＝9:1)是氧化铟锡(Indium Tin Oxides)英文名称的缩写，ITO导电膜是一种半导体透明薄膜，因其具有良好的光学透光性能和导电性能，同时相比ITO导电玻璃可实现轻薄化，因而作为电极材料广泛应用于电容式触摸屏领域，如平板电脑、智能手机、工业控制、智能穿戴、智能家电及智能家具等产品。
[0003]例如中国技术申请号为CN201920094803.6的一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，属于光电玻璃
，包括TG基板、镀于TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，ITO导电层的厚度为120～150纳米，五氧化二铌膜厚度为5～7纳米，二氧化硅膜的厚度为45～55纳米，本技术实施例的ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构，其中，上述厚度范围的五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔组成的消影层可以实现对厚度超厚的ITO导电膜进行消影，其中，上述厚度的五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的消影层的折射率与玻璃表面接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5％，进而可以低阻值超厚ITO导电膜的完全消影。
[0004]但现有导电膜存在着在长时间使用后容易产生漏光，影响使用体验的问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种可避免产生漏光的ITO柔性导电膜，以解决
技术介绍
中提出的问题。
[0006]技术方案：一种可避免产生漏光的ITO柔性导电膜，包括：
[0007]防漏光膜机构和加固机构；
[0008]所述防漏光膜机构包括位于底层的二氧化硅薄膜一和设置在二氧化硅薄膜一顶部的ITO薄膜一，所述ITO薄膜一的顶部设置有石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的顶部设置有ITO薄膜二；
[0009]所述加固机构包括支撑在ITO薄膜二顶部外沿的二氧化硅薄膜二，所述二氧化硅薄膜二的顶部和ITO薄膜二的顶部之间均匀插接有多个二氧化硅垫片。
[0010]在进一步的实施例中，所述ITO薄膜二的顶部均匀开设有多个和二氧化硅垫片对应的开孔，且二氧化硅垫片和对应的开孔内侧之间填充有氮化硅涂层。
[0011]在进一步的实施例中，所述二氧化硅薄膜二的边角均安装有耐磨框，且耐磨框连接在ITO薄膜二的顶部。
[0012]在进一步的实施例中，所述二氧化硅薄膜一的底部外沿均开设有凹槽。
[0013]在进一步的实施例中，所述ITO薄膜二的厚度值为35
‑
45nm，所述ITO薄膜一的厚度值为55
‑
65nm。
[0014]本技术的技术效果和优点：该可避免产生漏光的ITO柔性导电膜，通过ITO薄膜一和ITO薄膜二的设计可以提升该材质薄膜在导电膜整体厚度里的占比，使得导电膜整体透光率和导电率更高，配合石墨烯薄膜的高韧性和高机械强度可以使得导电膜不易发生漏光；二氧化硅薄膜二和二氧化硅垫片的设计可以显著提升导电膜边缘的机械强度，配合二氧化硅薄膜一的耐磨性，从而可以避免最容易发生损坏导致漏光的导电膜边缘损坏，进一步避免发生漏光的可能性；该可避免产生漏光的ITO柔性导电膜，可以避免在长时间使用后产生漏光，使用体验更好。
附图说明
[0015]图1为本技术的结构示意图；
[0016]图2为本技术图1中A处的放大图；
[0017]图3为本技术的剖视图。
[0018]图中：1、二氧化硅薄膜一；2、ITO薄膜一；3、石墨烯薄膜；4、ITO薄膜二；5、二氧化硅薄膜二；6、二氧化硅垫片；7、氮化硅涂层；8、耐磨框；9、气密涂层；10、凹槽。
具体实施方式
[0019]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
[0020]为了可以避免在长时间使用后产生漏光，如图1和图2，一种可避免产生漏光的ITO柔性导电膜，包括：防漏光膜机构和加固机构；防漏光膜机构包括位于底层的二氧化硅薄膜一1，具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗蚀、机械强度等特性，常应用在在光学、微电子等领域，二氧化硅薄膜一1的底部外沿均开设有凹槽10，可以便于二氧化硅薄膜一1与外部结构的连接，二氧化硅薄膜一1的顶部磁控溅射有ITO薄膜一2，磁控溅射是现有物理气相沉积的一种，ITO薄膜一2的顶部沉积有石墨烯薄膜3，石墨烯薄膜3具有高导电性、高透光性、高柔韧性、高阻隔性、高机械强度、高化学稳定性、超薄等特性，石墨烯薄膜3的顶部磁控溅射有ITO薄膜二4，ITO薄膜二4的厚度值为35
‑
45nm，ITO薄膜一2的厚度值为55
‑
65nm，也可根据实际厚度占比情况进行更改；
[0021]为了可以避免最容易发生损坏导致漏光的导电膜边缘损坏，进一步避免发生漏光的可能性，如图2和图3，加固机构包括支撑在ITO薄膜二4顶部外沿的二氧化硅薄膜二5，二氧化硅薄膜二5的边角均安装有耐磨框8，可以为任意高耐磨材质，避免边角磨损，且耐磨框8连接在ITO薄膜二4的顶部，二氧化硅薄膜二5的内侧和ITO薄膜二4的顶部之间粘接有气密涂层，提升整体气密性，二氧化硅薄膜二5的顶部和ITO薄膜二4的顶部之间均匀插接有多个二氧化硅垫片6，ITO薄膜二4的顶部均匀开设有多个和二氧化硅垫片6对应的开孔，且二氧化硅垫片6和对应的开孔内侧之间填充有氮化硅涂层7，耐磨性更强，可以避免二氧化硅垫片6和二氧化硅薄膜二5互相磨损。
[0022]工作原理，该可避免产生漏光的ITO柔性导电膜，该导电膜采用磁控溅射从下到上依次沉积而成，通过ITO薄膜一2和ITO薄膜二4的设计可以提升该材质薄膜在导电膜整体厚
度里的占比，使得导电膜整体透光率和导电率更高，配合石墨烯薄膜3的高韧性和高机械强度可以使得导电膜不易发生漏光；二氧化硅薄膜二5和二氧化硅垫片6的设计可以显著提升导电膜顶部边缘的机械强度，配合二氧化硅薄膜一1的耐磨性，从而可以避免最容易发生损坏导致漏光的导电膜边缘损坏，进一步避免发生漏光的可能性，使用体验更好。
[0023]最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可避免产生漏光的ITO柔性导电膜，包括：防漏光膜机构和加固机构；其特征在于：所述防漏光膜机构包括位于底层的二氧化硅薄膜一(1)和设置在二氧化硅薄膜一(1)顶部的ITO薄膜一(2)，所述ITO薄膜一(2)的顶部设置有石墨烯薄膜(3)，所述石墨烯薄膜(3)的顶部设置有ITO薄膜二(4)；所述加固机构包括支撑在ITO薄膜二(4)顶部外沿的二氧化硅薄膜二(5)，所述二氧化硅薄膜二(5)的顶部和ITO薄膜二(4)的顶部之间均匀插接有多个二氧化硅垫片(6)。2.根据权利要求1所述的一种可避免产生漏光的ITO柔性导电膜，其特征在于：所述ITO薄膜二(4)的顶部均匀开设有多个和二氧化硅垫片(6)对应的开孔，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王强华，罗俊欣，杨兵华，
申请(专利权)人：深圳市强峰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：