【技术实现步骤摘要】
激光等离子体极紫外光源系统及其监控方法
[0001]本申请涉及半导体
,具体涉及一种激光等离子体极紫外光源系统及其监控方法。
技术介绍
[0002]目前,常用的极紫外(EUV)光源主要有激光等离子体(LPP)光源、气体放电等离子体(DPP)光源和同步辐射光源等三类。
[0003]其中,激光等离子体(LPP)光源的工作原理是从液滴发生器流出的圆形液滴,先被前脉冲激光撞击成扁平状的液滴,然后再被主脉冲激光撞击,生成等离子体辐射EUV光,EUV光经EUV采集器反射和聚焦被定向到中间的焦点单元,进入EUV扫描器。
[0004]液滴经过两次激光脉冲的撞击生成等离子体过程中,由于颗粒、离子、辐射的碰撞和碎片沉积,会出现很对锡碎片污染物,致使EUV采集器反射率快速下降。为了减少污染,通过将氢气引入采集器的反射表面附近的空间内,氢气与锡发生反应形成气体副产物,然后随着氢气流从氢气排出管路排出。
[0005]然而,在从氢气排出管路排出氢气流的同时,未发生反应的锡碎片也会往氢气排出管路移动,进而在氢气排出管路中沉积 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光等离子体极紫外光源系统,所述系统包括激光源、扫描器、位于一个封闭腔体内的液滴发生器、采集器以及氢气排出管路,其特征在于,所述系统还包括位于所述封闭腔体内的至少一个监控摄像头,且所述氢气排出管路的入口设置有加热板结构;液滴发生器,用于生成锡液滴;激光源,用于生成激光脉冲并作用于所述锡液滴,以生成等离子体;采集器,用于收集所述等离子体辐射出的极紫外EUV光线,并将收集的所述EUV光线聚焦定向到扫描器中;监控摄像头,用于监控生成等离子体过程中所沉积的污染物量,并在所述污染物量超过预设值时,启动所述加热板结构的加热功能,以熔化所述氢气排出管路入口处沉积的污染物。2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述系统还包括与所述液滴发生器相对设置的锡收集器;所述锡收集器,用于收集未被激光脉冲作用的锡液滴。3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述至少一个监控摄像头包括设置在靠近所述氢气排出管路的摄像头,和/或设置在锡收集器上的摄像头,和/或设置在嵌入所述封闭腔体内的测量模块上的摄像头。4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述加热板结构的加热温度大于锡的熔点。5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述监控...
【专利技术属性】
技术研发人员:金成昱,金帅炯,梁贤石,贺晓彬,丁明正,刘强,杨涛,杨帆,
申请(专利权)人:真芯北京半导体有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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