基于EMMI的化合物半导体器件直流测试系统技术方案

本发明专利技术公开了基于EMMI的化合物半导体器件直流测试系统，包括测试夹具、源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源和EMMI平台；化合物半导体器件装配在测试夹具中，EMMI平台采集化合物半导体器件在不加电情况下的背景噪声信号；然后采用源极、栅极和漏极直流电源通过测试夹具使得化合物半导体器件处于不同工作状态，同时EMMI平台采集化合物半导体器件的光信号，并扣除背景噪声信号，生成化合物半导体器件在工作状态下的EMMI分析图，并分析化合物半导体器件是否失效，根据EMMI分析图对失效的化合物半导体器件失效部位定位。本发明专利技术创新性的将器件的直流工作状态与电致发光原理相结合，实现化合物半导体器件的测试。实现化合物半导体器件的测试。实现化合物半导体器件的测试。

【技术实现步骤摘要】
基于EMMI的化合物半导体器件直流测试系统


[0001]本专利技术属于化合物功率半导体


技术介绍

[0002]宽禁带化合物半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、电子漂移速度快和抗辐射能力强等特点，器件具有耐高温、耐高压、良好的高频大功率等特性。
[0003]固态微波器件在实际应用过程中可能会出现因器件匹配不良、输入电压过冲、输入过激励、测试环境失配等因素引发的器件功率分布不均衡、退化、失效甚至烧毁问题。针对这些问题定位准确是确定器件失配原因、失效机理以及提出改进措施的前提。当前开展失效定位分析通常是逆向分析过程，即首先进行失效暴露，然后结合不同非破坏性及破坏性失效分析技术来逆向追溯失效原点，定位失效。过程周期长、工作量大，且可能无法得到准确结论。

技术实现思路

[0004]专利技术目的：为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种基于EMMI的化合物半导体器件直流测试系统。
[0005]技术方案：本专利技术提供了一种基于EMMI的化合物半导体器件直流测试系统 ，包括测试夹具、源极直流电源、栅极直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于EMMI的化合物半导体器件直流测试系统 ，其特征在于，包括测试夹具、源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源和EMMI平台；化合物半导体器件装配于测试夹具中，所述EMMI平台采集化合物半导体器件在不加电情况下的背景噪声信号；然后采用源极直流电源、栅极直流电源和漏极直流电源通过测试夹具使得化合物半导体器件处于不同工作状态；所述EMMI平台采集化合物半导体器件在不同工作状态下的光信号，并扣除背景噪声信号，生成化合物半导体器件在工作状态下的EMMI分析图，工作人员根据EMMI分析图分析化合物半导体器件是否失效，并根据EMMI分析图对失效的化合物半导体器件失效部位定位；所述不同工作状态包括源极
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栅极加电的工作状态，栅极
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漏极加电的工作状态以及源极
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栅极
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漏极均加电的工作状态；采用源极直流电源和栅极直流电源通过夹具分别与化合物半导体器件的源极栅极连接，为化合物半导体器件提供直流激励电源使得化合物半导体处于的源极
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栅极加电的工作状态；采用栅极直流电源和漏极直流电源通过夹具分别与化合物半导体器件的栅极，漏极连接，为化合物半导体器件提供直流激励电源使得化合物半导体处于的栅极
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漏极加电的工作状态；采用源极直流电源，栅极直流电源和漏极直流电源通过夹具分别与化合物半导体器件的源极，栅极，漏极连接，为化合物半导体器件提供直流激励电源使得化合物半导体处于的栅极
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【专利技术属性】
技术研发人员：邵国键，林罡，陈正廉，孙军，刘柱，陈韬，陈堂胜，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：