【技术实现步骤摘要】
一种SIC半导体器件参数测试结构
[0001]本技术涉及半导体检测设备
,尤其涉及一种SIC半导体器件参数测试结构。
技术介绍
[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,大部分的电子产品,核心单元都和半导体有着极为密切的关联,常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种,半导体测试机时半导体产品中的一个,半导体测试机对物质进行检测时,为了保证半导体器的可靠性,需要对系统中的各器件进行参数测试试验,需要通过连接线对其进行检测工作。
[0003]现有的SIC半导体器件参数测试结构,在其使用的过程中,连接线非常容易出现缠绕打结的情况,使得连接线的使用寿命较短,移动拉扯探测头一端时,易件连接线与装置拉扯分离,为此,我们提出一种SIC半导体器件参数测试结构来解决上述问题。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的问题,而提出的一种SIC半导体器件参数测试结构。
[0005]为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案: >[0006]一种S本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种SIC半导体器件参数测试结构,包括底座和测试装置,其特征在于,还包括:固定于所述底座上端面一侧的两个支撑板,两个所述支撑板上端面开设有卡槽,两个所述卡槽之间套接有横杆,所述横杆表面套接有卷筒,所述横杆两侧开设有凹槽,所述凹槽内部螺纹啮合有螺杆,所述螺杆延长端固定有压盘。2.根据权利要求1所述的一种SIC半导体器件参数测试结构,其特征在于,所述测试装置固定于所述底座上端面,所述测试装置一侧设有插接口,所述底座上端面靠近所述插接口处固定有C型槽。3.根据权利要求2所述的一种SIC半导体器件参数测试结构,其特征在于,所述C...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒲辰,
申请(专利权)人:南京易恩电气科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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