一种SIC半导体器件参数测试结构制造技术

技术编号:33518376 阅读:86 留言:0更新日期:2022-05-19 01:26
本实用新型专利技术公开了一种SIC半导体器件参数测试结构,包括底座和测试装置,还包括:固定于所述底座上端面一侧的两个支撑板,两个所述支撑板上端面开设有卡槽,两个所述卡槽之间套接有横杆,所述横杆表面套接有卷筒,所述横杆两侧开设有凹槽,所述凹槽内部螺纹啮合有螺杆,所述螺杆延长端固定有压盘,所述测试装置固定于所述底座上端面。本实用新型专利技术,通过卷筒可以将过长的连接线进行缠绕收卷,从而使得防止出现连接线过长相互缠绕打结的情况,且转动压盘,可以便于卷筒的快捷拆装,可以根据实际情况使用更灵活多变,通过预设的弹簧,可以拉动着压板向下移动,卡线槽可以将连接线与拆接口处进行稳定,防止受到拉扯造成断联。防止受到拉扯造成断联。防止受到拉扯造成断联。

【技术实现步骤摘要】
一种SIC半导体器件参数测试结构


[0001]本技术涉及半导体检测设备
,尤其涉及一种SIC半导体器件参数测试结构。

技术介绍

[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,大部分的电子产品,核心单元都和半导体有着极为密切的关联,常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种,半导体测试机时半导体产品中的一个,半导体测试机对物质进行检测时,为了保证半导体器的可靠性,需要对系统中的各器件进行参数测试试验,需要通过连接线对其进行检测工作。
[0003]现有的SIC半导体器件参数测试结构,在其使用的过程中,连接线非常容易出现缠绕打结的情况,使得连接线的使用寿命较短,移动拉扯探测头一端时,易件连接线与装置拉扯分离,为此,我们提出一种SIC半导体器件参数测试结构来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的问题,而提出的一种SIC半导体器件参数测试结构。
[0005]为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:
>[0006]一种S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SIC半导体器件参数测试结构,包括底座和测试装置,其特征在于,还包括:固定于所述底座上端面一侧的两个支撑板,两个所述支撑板上端面开设有卡槽,两个所述卡槽之间套接有横杆,所述横杆表面套接有卷筒,所述横杆两侧开设有凹槽,所述凹槽内部螺纹啮合有螺杆,所述螺杆延长端固定有压盘。2.根据权利要求1所述的一种SIC半导体器件参数测试结构,其特征在于,所述测试装置固定于所述底座上端面,所述测试装置一侧设有插接口,所述底座上端面靠近所述插接口处固定有C型槽。3.根据权利要求2所述的一种SIC半导体器件参数测试结构,其特征在于,所述C...

【专利技术属性】
技术研发人员:蒲辰
申请(专利权)人:南京易恩电气科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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