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本实用新型公开了一种SIC半导体器件参数测试结构，包括底座和测试装置，还包括：固定于所述底座上端面一侧的两个支撑板，两个所述支撑板上端面开设有卡槽，两个所述卡槽之间套接有横杆，所述横杆表面套接有卷筒，所述横杆两侧开设有凹槽，所述凹槽内部螺纹...
该专利属于南京易恩电气科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京易恩电气科技有限公司授权不得商用。

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