存储器检测方法及其装置制造方法及图纸

本申请公开了一种存储器检测方法及其装置，该方法包括：初始化存储单元阵列中的全部存储单元；确定若干条目标字线，相邻的两条目标字线之间具有若干条干扰字线；开启目标字线，对目标字线连接的存储单元执行写入操作；对干扰字线进行若干次反复开启和关断；对目标字线连接的存储单元执行读取操作；其中，采用强制灌电流的方式，对干扰字线连接的存储单元执行写入操作。该检测方法可以放大存在潜在泄漏或短路的两条相邻字线漏电的电压差，从而检测出由于工艺制程差异导致两个存储单元的部分靠在一起而产生的双存储单元失效，从而可避免产品良率降低。免产品良率降低。免产品良率降低。

【技术实现步骤摘要】
存储器检测方法及其装置


[0001]本申请涉及半导体器件测试的
，特别涉及一种存储器检测方法及其装置、计算机设备和计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(英文：Dynamic Random Access Memory，简称:DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。
[0003]随着DRAM的制程工艺越来越先进、存储密度越来越高，DRAM制程工艺中也出现了越来越多的问题，比如：副产物掉落引发的相邻的两条字线短路、字线漏电流、金属线的断裂，以及关键尺寸不合格造成的结构问题等，这些制程工艺中出现的问题易导致相应的存储单元失效，因此需要在良率测试过程中筛选出来，否则易导致产品良率较低。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种存储器检测方法及其装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器检测方法，其特征在于，包括：初始化存储单元阵列中的全部存储单元；确定若干条目标字线，相邻的两条所述目标字线之间具有若干条干扰字线；开启所述目标字线，对所述目标字线连接的存储单元执行写入操作；对所述干扰字线进行若干次反复开启和关断；对所述目标字线连接的存储单元执行读取操作；其中，采用强制灌电流的方式，对所述干扰字线连接的存储单元执行写入操作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述干扰字线进行若干次反复开启和关断之前，还包括：刷新对所述目标字线连接的存储单元执行写入操作之后的所述存储单元阵列。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，刷新对所述目标字线连接的存储单元执行写入操作之后的所述存储单元阵列之后还包括：对存储单元阵列中的全部存储单元进行调压，以增大所述干扰字线连接的存储单元与所述目标字线连接的存储单元之间的电压差。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述干扰字线进行若干次反复开启和关断之后还包括：将存储单元阵列中的全部存储单元的电容上极板电压恢复至预设的默认值，感测放大器保持开启。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对所述目标字线连接的存储单元执行读取操作之前还包括：刷新将存储单元阵列中的全部存储单元的电容上极板电压恢复至预设的默认值，感测放大器保持开启之后的所述存储单元阵列。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述目标字线连接的存储单元执行写入操作包括：对所述目标字线连接的存储单元执行写入操作的数据为0或1；采用第一顺序模式将所述数据逐条写入所述目标字线连接的存储单元。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，对所述目标字线连接的存储单元执行写入操作还包括：开启其中一条所述目标字线，将所述数据写入所述开启的目标字线连接的存储单元，写完所述开启的目标字线所连接的存储单元后，关闭所述开启的目标字线；然后再开启下一条所述目标字线，执行所述写入操作，直至写入全部所述目标字线连接的存储单元。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，对所述目标字线连接的存储单元执行读取操作包括：开启其中一条所述目标字线，读取所述开启的目标字线所连接的存储单元，读完所述开启的目标字线所连接的存储单元后，关闭所述开启的目标字线；然后再开启下一条所述目标字线，执行所述读取操作，直至读取全部所述目标字线连接的存储单元。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，相邻的两条所述目标字线...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘东，楚西坤，第五天昊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：