页缓冲器、包括该页缓冲器的存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本申请涉及页缓冲器、包括该页缓冲器的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括页缓冲器、电压发生器和测试控制器。页缓冲器通过位线连接至存储器单元，并且被配置为通过电连接至位线的感测节点的电位来感测存储器单元的阈值电压。电压发生器被配置为生成要施加到感测节点的测试电压。测试控制器被配置为控制电压发生器向感测节点施加测试电压，并且基于感测节点的泄漏电流值检测页缓冲器的缺陷。于感测节点的泄漏电流值检测页缓冲器的缺陷。于感测节点的泄漏电流值检测页缓冲器的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
页缓冲器、包括该页缓冲器的存储器装置及其操作方法


[0001]本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地，涉及存储器装置及该存储器装置的操作方法。

技术介绍

[0002]储存装置是在诸如计算机或智能电话之类的主机装置的控制下存储数据的装置。储存装置可以包括用于存储数据的存储器装置和用于控制该存储器装置的存储器控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
[0003]易失性存储器装置是仅在供电时存储数据并且在供电中断时所存储的数据消失的存储器装置。易失性存储器装置可以包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
[0004]非易失性存储器装置是即使供电中断数据也不会消失的存储器装置。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。

技术实现思路

[0005]根据本公开的一个方面，可以提供一种存储器装置，其包括：页缓冲器，其通过位线连接至存储器单元，该页缓冲器被配置为通过电连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：页缓冲器，该页缓冲器通过位线连接至存储器单元，该页缓冲器通过电连接至所述位线的感测节点的电位来感测所述存储器单元的阈值电压；电压发生器，该电压发生器生成要施加到所述感测节点的测试电压；以及测试控制器，该测试控制器控制所述电压发生器向所述感测节点施加所述测试电压，并且基于所述感测节点的泄漏电流值来检测所述页缓冲器的缺陷。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述测试控制器在所述测试电压被施加到所述感测节点之后基于所述感测节点的电位的变化来确定所述感测节点的所述泄漏电流值。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述测试控制器基于通过将所述感测节点的所述泄漏电流值与参考值进行比较而获得的结果来检测所述页缓冲器的缺陷。4.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括测试信息储存器，该测试信息储存器在检测到所述页缓冲器的缺陷时存储关于包括连接至所述页缓冲器的所述存储器单元的存储块的信息。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器基于外部电压生成电源电压，并且基于所述外部电压和所述电源电压中的至少一个来生成所述测试电压。6.一种用于操作存储器装置的方法，该存储器装置包括通过位线连接至存储器单元的页缓冲器，该方法包括以下步骤：生成测试电压；在所述页缓冲器中，向电连接至所述位线的感测节点施加所述测试电压以感测所述存储器单元的阈值电压；以及基于所述感测节点的泄漏电流值来检测所述页缓冲器的缺陷。7.根据权利要求6所述的方法，其中，检测所述页缓冲器的缺陷的步骤包括以下步骤：在所述测试电压被施加到所述感测节点之后，基于所述感测节点的电位的变化来确定所述感测节点的所述泄漏电流值；以及基于通过将所述感测节点的所述泄漏电流值与参考值进行比较而获得的结果来检测所述页缓冲器的缺陷。8.根据权利要求6所述的方法，其中，生成所述测试电压的步骤包括以下步骤：基于外部电压生成电源电压；以及基于所述外部电压和所述电源电压中的至少一个来生成所述测试电压。9.根据权利要求6所述的方法，该方法还包括以下步...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁仁坤，金兑祜，辛在贤，林星默，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：