一种低电源电压精确电压跟随电路及电压跟随方法技术

本申请提供了一种低电源电压精确电压跟随电路及电压跟随方法。源极连接的NMOS管和PMOS管分别作为上管和下管构成源极输出电路。两个偏置电流源、三个NMOS管构成第一偏置电路，为上管提供偏置电压；三个偏置电流源、两个NMOS管和一个PMOS管构成第二偏置电路，为下管提供偏置电压。电流源的电流和MOS管的宽长比设置使输出电压可以精确跟随输入电压；通过采用native NMOS管和相关的电路设置，使电压跟随电路可以在低电源电压下工作。电压跟随方法包括步骤：通过偏置电路产生随输入电压变化的第一偏置电压和第二偏置电压；通过源极输出电路提供输出电压，通过源极输出电路的MOS管的栅源电压对偏置电压进行精确补偿，使输出电压精确跟随输入电压。精确跟随输入电压。精确跟随输入电压。

【技术实现步骤摘要】
一种低电源电压精确电压跟随电路及电压跟随方法


[0001]本申请涉及电子电路
，尤其涉及一种低电源电压精确电压跟随电路及电压跟随方法。

技术介绍

[0002]如图1所示，在典型的传统电压跟随电路中，Ia和Ib分别为N0、N1和N2三个NMOS管的偏置电流，Ia流过N0产生栅源电压VGS0，流过N1产生栅源电压VGS1。Ib流过N2产生栅源电压VGS2，V1＝VGS0+VGS1，则输出的VREF＝V1
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VGS2＝VGS0+VGS1
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VGS2。图1中N0和N1一般为普通的NMOS管；N2一般为native的NMOS管，native的NMOS管的阈值电压Vth一般很小或为负值。栅源电压可根据公式1计算：
[0003][0004]其中I为流过NMOS管的电流，W/L为NMOS管的宽长比，μ为电子迁移率，cox为NMOS管的栅极单位面积的电容值。μ和Vth受工艺角和温度的影响较大，并且当VREF驱动不同的负载时，流过N2的电流变化会根据负载的不同而发生很大的变化，因此VREF受电流和温度工艺角以及负载本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低电源电压精确电压跟随电路，其特征在于，包括：源极输出电路，包括源极连接的第一NMOS管和第一PMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接至VDD，所述第一PMOS管的漏极接地；第一偏置电路，包括第一电流源、第二电流源、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管，所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的源极连接后通过所述第一电流源接地，所述第三NMOS管的栅极连接至输入电压、漏极连接至VDD，所述第四NMOS管栅漏短接后连接至所述第二NMOS管的源极，所述第二NMOS管的漏极通过所述第二电流源连接至VDD、栅漏极短接后连接至所述第一NMOS管的栅极；第二偏置电路，包括第三电流源、第四电流源、第五电流源、第二PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管，所述第五NMOS管的源极和所述第六NMOS管的源极连接后通过所述第四电流源接地，所述第五NMOS管的栅极连接至所述输入电压、漏极连接至VDD，所述第六NMOS管栅漏短接后连接至所述第二PMOS管的源极、并通过所述第三电流源连接至VDD，所述第二PMOS管栅漏短接后通过所述第五电流源接地，所述第二PMOS管的栅极还连接至所述第一PMOS管的栅极；其中所述第一电流源的电流为所述第二电流源电流的2倍，所述第三电流源的电流和所述第五电流源的电流之差等于所述第四电流源电流的1/2。2.根据权利要求1所述的低电源电压精确电压跟随电路，其特征在于，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的宽长比相等，所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的宽长比相等；设所述第一NMOS管的宽长比为KN1、所述第二NMOS管的宽长比为KN2、所述第一PMOS管的宽长比为KP1、所述第二PMOS管的宽长比为KP2、KN1/KN2＝K1、KP1/KP2＝K2，则所述第二电流源的电流I2和所述第五电流源的电流I5的设置满足I2/I5＝K2/K1。3.根据权利要求2所述的低电源电压精确电压跟随电路，其特征在于，KN1、KN2、KP1、KP2均为正整数，K1和K2均大于1。4.根据权利要求3所述的低电源电压精确电压跟随电路，其特征在于，K1和K2均为整数。5.根据权利要求1至4中任一项所述的低电源电压精确电压跟随电路，其特征在于，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管为native NMOS管。6.一种电压跟随方法，其特征在于，包括步骤：通过第一偏置电路产生第一偏置电压，所述第一偏置电压随输入电压变化；通过第二偏置电路产生第二偏置电压，所述第二偏置电压随输入电压变化；通过源极输出电路提供输出电压，所述源极输出电路包括源极连接的第一NMOS管和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱乐永，陈涛，
申请(专利权)人：普冉半导体上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：