一种晶圆竖直刷洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆竖直刷洗装置，其包括喷液组件，所述喷液组件包括喷嘴，所述喷嘴的喷射方向与晶圆的旋转方向相匹配；所述喷嘴的数量为多个，以朝向不同方向及区域喷射流体，使得喷射的流体覆盖旋转晶圆的表面。使得喷射的流体覆盖旋转晶圆的表面。使得喷射的流体覆盖旋转晶圆的表面。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆竖直刷洗装置


[0001]本专利技术属于晶圆后处理
，具体而言，涉及一种晶圆竖直刷洗装置。

技术介绍

[0002]化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是集成电路(Integrated Circuit,IC)制造中获得全局平坦化的一种超精密表面加工工艺。随着集成电路制造技术的发展，对晶圆表面缺陷的控制越来越严格。在晶圆制造过程中，晶圆表面会吸附颗粒或有机物等污染物而产生大量缺陷，需要后处理工艺去除这些缺陷。尤其是在化学机械抛光中大量使用的化学试剂及研磨剂会造成晶圆表面的污染，所以在抛光之后需要引入后处理工艺以去除晶圆表面的污染物，后处理工艺一般由清洗和干燥组成，以提供光滑洁净的晶圆表面。
[0003]晶圆清洗方式有：滚刷清洗、兆声清洗等，其中，滚刷清洗应用较为广泛。如专利CN112233971B公开的晶圆清洗装置，其通过支撑滚轮竖直支撑晶圆并带动其旋转，壳体(箱体)上设置的喷液结构，以为晶圆清洗供给清洗液及漂洗液。喷液结构采用两侧对称结构，每侧都是喷管上设置5个喷嘴，喷射流体在晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆竖直刷洗装置，其特征在于，包括喷液组件，所述喷液组件包括喷嘴，所述喷嘴的喷射方向与晶圆的旋转方向相匹配；所述喷嘴的数量为多个，其以不同角度朝向晶圆表面喷射，以使喷射的流体覆盖晶圆表面。2.如权利要求1所述的晶圆竖直刷洗装置，其特征在于，所述喷嘴设置于晶圆上侧，以朝向晶圆的不同区域喷射流体。3.如权利要求2所述的晶圆竖直刷洗装置，其特征在于，朝向晶圆边缘区域、中心区域及中间区域设置的喷嘴喷射的流体相互交错。4.如权利要求3所述的晶圆竖直刷洗装置，其特征在于，朝向晶圆边缘区域设置的喷嘴至少两个，其相互对射；所述喷嘴喷射流体的落点相互交错。5.如权利要求4所述的晶圆竖直刷洗装置，其特征在于，沿晶圆旋转方向设置的喷嘴较对射喷嘴的孔径小。6.如权利要求3所述的晶圆竖直刷...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹自立，李长坤，孙传恽，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：