一种晶片清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种晶片清洗方法，旨在保证晶片清洗质量的同时保证清洗后晶片的氧化层的均匀性，其技术方案：一种晶片清洗方法，包括如下步骤：S1：先采用第一蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第一蒸汽药液为酸性药液；S2：先采用第二蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第二蒸汽药液为碱性药液；S3：先采用第三蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第三蒸汽药液为碱性药液；S4：先采用第四蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第四蒸汽药液为酸性药液；S5：风干晶片，属于晶片清洗技术领域。技术领域。技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片清洗方法


[0001]本专利技术属于晶片清洗
，更具体而言，涉及一种晶片清洗方法。

技术介绍

[0002]晶片经过抛光工序后，其表面会残留许多譬如抛光液的化学物质，如果不及时进行清洗，这些化学物质就会污染整个晶片，甚至会导致晶片作废，这样会导致材料的浪费以及成本的增加；所以，在晶片抛光后，需要进入到晶片的清洗工序。
[0003]在现有技术中，晶片的清洗方法有很多，如专利技术专利公开号CN112474550A公开的一种氧化镓晶片CMP后的清洗方法，其方法为：S1、用包含硫酸、双氧水和去离子水的清洗液Ⅰ清洗CMP后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S2、用包含氨水、双氧水和去离子水的清洗液Ⅱ清洗S1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S3、用包含氢氟酸和去离子水的清洗液Ⅲ清洗S2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S4、用包含盐酸、双氧水和去离子水的清洗液Ⅳ清洗S3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S5、在超声功率为150
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300w的环境下超声清洗S4清洗后的氧化镓晶片。<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：先采用第一蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第一蒸汽药液为酸性药液；S2：先采用第二蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第二蒸汽药液为碱性药液；S3：先采用第三蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第三蒸汽药液为碱性药液；S4：先采用第四蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第四蒸汽药液为酸性药液；S5：风干晶片；其中，第二蒸汽药液和第三蒸汽药液均为含氢氧化铵、过氧化氢的水溶液；第二蒸汽药液中的氢氧化铵的浓度为14wt％
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20wt％；第二蒸汽药液中的过氧化氢的浓度为6wt％
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12wt％；第三蒸汽药液中的氢氧化铵的浓度为8.4wt％
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11.2wt％；第三蒸汽药液中的过氧化氢的浓度为18wt％
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21wt％。2.根据权利要求1所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑金龙，吴倩，周铁军，马金峰，资云玲，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：