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本发明公开了一种晶片清洗方法，旨在保证晶片清洗质量的同时保证清洗后晶片的氧化层的均匀性，其技术方案：一种晶片清洗方法，包括如下步骤：S1：先采用第一蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第一蒸汽药液为酸性药液；S2：先采用第二蒸...
该专利属于广东先导微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东先导微电子科技有限公司授权不得商用。

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