晶圆抛光系统技术方案

本实用新型专利技术公开了晶圆抛光系统，至少包括一个抛光单元；抛光单元包括一个固定工作位，及至少两个抛光模组，抛光模组位于固定工作位的两侧；抛光模组包括抛光平台和抛光臂，抛光臂可带动晶圆相对抛光平台活动，以实现抛光工艺；两侧抛光模组的抛光臂位于固定工作位的斜对角方向，抛光臂分别可在固定工作位和抛光平台之间摆动实现晶圆的转移，且抛光臂的活动区域具有重叠部分。本实用新型专利技术每个抛光模组的抛光臂独立控制，稳定性更好，灵活度更高；仅仅需要一个固定工作位就可以实现多个抛光模组配合实现单个或多个晶圆的抛光工艺，抛光过程的移动路径大大缩短，使得传输过程时间最小化，抛光效率更高。抛光效率更高。抛光效率更高。

【技术实现步骤摘要】
晶圆抛光系统


[0001]本技术属于半导体集成电路芯片制造
，尤其是涉及晶圆抛光系统。

技术介绍

[0002]化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)设备是集成电路制造领域的七大关键设备之一。
[0003]目前，化学机械抛光技术已经发展成集在线量测、在线终点检测、清洗等技术于一体的化学机械抛光技术，是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物。同时也是晶圆由200mm向300mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。
[0004]化学机械抛光平坦化设备通常包括半导体设备前端模块、清洗单元和抛光单元。半导体设备前端模块主要包括存放晶圆的片盒、传片机械手和空气净化系统等；清洗单元主要包括数量不等的兆声波清洗部件、滚刷清洗部件、干燥部件和各部件之间传输晶圆的装置等；抛光单元通常包括工作台、抛光盘、抛光头、抛光臂、修整器、抛光液臂等部件，每个部件按照工艺加工位置布置在工作台上。实际的晶圆加工过程中发现，抛光单元与清洗、晶圆运输等模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.晶圆抛光系统，其特征在于：至少包括一个抛光单元；所述抛光单元包括一个固定工作位，及至少两个抛光模组，所述抛光模组位于固定工作位的两侧；所述抛光模组包括抛光平台和抛光臂，所述抛光臂可带动晶圆相对抛光平台活动，以实现抛光工艺；两侧抛光模组的抛光臂位于固定工作位的斜对角方向，所述抛光臂分别可在固定工作位和抛光平台之间摆动实现晶圆的转移，且抛光臂的活动区域具有重叠部分。2.根据权利要求1所述的晶圆抛光系统，其特征在于：一个抛光模组的抛光臂从所述固定工作位上获取晶圆后，完成该抛光工艺，将晶圆沿第一轨迹放回至固定工作位；另一抛光模组的抛光臂从所述固定工作位上获取晶圆后，完成该抛光工艺，将晶圆沿第二轨迹放回至固定工作位；所述第一轨迹和第二轨迹的走向呈近似S字形。3.根据权利要求1所述的晶圆抛光系统，其特征在于：所述活动区域的重叠部分呈眼形，所述固定工作位的中心轴线通过重叠部分的中心。4.根据权利要求2所述的晶圆抛光系统，其特征在于：所述第一轨迹和第二轨迹中由晶圆圆心经过的活动轨迹有且仅有一个切点。5.根据权利要求1所述的晶圆抛光系统，其特征在于：所述抛光臂的摆动角度小于180
°
。6.根据权利要求1所述的晶圆抛光系统，其特征在于：所述固定工作位为升降式结构，当固...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐枭宇，
申请(专利权)人：杭州众硅电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：