一种激光器芯片及其制造方法与应用技术

本发明专利技术提出一种激光器芯片及其制造方法与应用，包括：衬底；多个发光单元，设置在所述衬底上，所述发光单元发射的激光束通过所述衬底出射；多个第一接触层，每一所述第一接触层设置在每一所述发光单元的顶部上；至少一第二接触层，设置在所述衬底上，所述第二接触层的长度大于平行于所述第二接触层的多个所述发光单元之间的距离；绝缘层，设置在所述衬底上，所述绝缘层覆盖所述第一接触层和所述第二接触层；多个第一金属柱，设置在所述绝缘层中，每一所述第一金属柱连接每一所述第一接触层；至少一第二金属柱，设置在所述绝缘层中，所述第二金属柱连接所述第二接触层。本发明专利技术提出的激光器芯片可以实增加发光区的数量，实现分区控制。制。制。

【技术实现步骤摘要】
一种激光器芯片及其制造方法与应用


[0001]本专利技术涉及激光
，特别涉及一种激光器芯片及其制造方法与应用。

技术介绍

[0002]半导体激光器被用于许多需要高功率照明的成像应用中，如用于三维成像的结构光源、激光探测和测距(LADAR)、飞时测距法(TOF)三维成像、航空防御和聚变研究等。垂直腔面发射激光器(VCSEL)由于其在低功率、高频等方面的优越性和制造上的优势，在众多半导体激光器中得到了广泛的应用。
[0003]通常在使用激光探测时，需要对激光器进行分区，例如通过共阳极或共阴极来控制，这样会导致发光区数量较少，只能在一维或近似二维循址控制分区发光，这样也会导致封装变得复杂，同时还需要根据封装对基板进行设计来独立循址控制，因此会导致生产周期变长。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术提出一种激光器芯片及其制造方法与应用，本专利技术通过在设计激光器芯片时，就将激光器芯片进行分区，从而提高发光区的数量，并且可以实现在二维面上自由选择发光区，同时还可以将激光器芯片直接封装在基板上，避免金线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光器芯片，其特征在于，包括：衬底；多个发光单元，设置在所述衬底上，所述发光单元发射的激光束通过所述衬底出射；多个第一接触层，每一所述第一接触层设置在每一所述发光单元的顶部上；至少一第二接触层，设置在所述衬底上，所述第二接触层的长度大于平行于所述第二接触层的多个所述发光单元之间的距离；绝缘层，设置在所述衬底上，所述绝缘层覆盖所述第一接触层和所述第二接触层；多个第一金属柱，设置在所述绝缘层中，每一所述第一金属柱连接每一所述第一接触层；至少一第二金属柱，设置在所述绝缘层中，至少一所述第二金属柱位于所述发光单元的外侧，所述第二金属柱连接所述第二接触层。2.根据权利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，还包括至少两个第一焊盘以及至少一第二焊盘，其中至少两个所述第一焊盘相互独立，至少两个所述第一焊盘设置在所述第一金属柱上，所述第二焊盘设置在所述第二金属柱上。3.根据权利要求2所述的激光器芯片，其特征在于，还包括至少两个第一锡球以及至少一第二锡球，其中每一所述第一锡球设置在每一所述第一焊盘上，所述第二锡球设置在所述第二焊盘上。4.根据权利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述发光单元内包括电流限制层，通过所述电流限制层定义出发光孔。5.根据权利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述第二接触层包括至少一个接触点，所述接触点用于接触所述第二金属柱。6.根据权利要求5所述的激光器芯片，其特征在于，所述第二接触层还包括连接段，所述接触点的宽度大于所述连接段的宽度。7.根据权利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，至少一所述第二接触层位于多个所述发光单元的外侧，或者至少一所述第二接触层位于多...

【专利技术属性】
技术研发人员：封飞飞，郭栓银，施展，宋杰，李含轩，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：