一种波长大范围可调节的VCSEL激光器阵列制造技术

本发明专利技术公开了一种波长大范围可调节的VCSEL激光器阵列，对于阵列设置的各VCSEL激光器，独立在其外部增加一个环形加热器，来对VCSEL激光器进行分别进行加热。通过控制各加热器的电流大小，使得半导体材料制备的环形加热器发热后产生不同的热量，该热量传导给中心的VCSEL激光器，通过对VCSEL激光器的加热来使其产生红移现象，即该VCSEL激光器的出射波长即发生增加，通过对VCSEL激光器由于红移现象导致固有波长变长范围的设计以及对加热器加热电流的控制，实现阵列最终出射激光波长超过20nm的连续可调。20nm的连续可调。20nm的连续可调。

【技术实现步骤摘要】
一种波长大范围可调节的VCSEL激光器阵列


[0001]本专利技术涉及一种波长大范围可调节的VCSEL激光器阵列。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器(Vertical
‑
Cavity Surface
‑
Emitting Laser, VCSEL)具有体积小、相应频带宽、温度漂移小、阈值电流低、单纵模出射、发散角小、调制速率高、出射激光为圆形光斑易与光纤耦合、封装简单易于二维集成、工作寿命长等优越性能，在光纤通信、原子钟、3D传感、汽车雷达等领域的应用前景被十分看好。垂直腔面发射激光器的激光垂直于芯片表面从顶面或底面射出，出射方向由激光波长决定。
[0003]VCSEL的结构中有上、下两个分布式布拉格反射镜（DBR），分成反射区和出射区，反射区具有99.9%以上的反射率，出射区具有99%以上的反射率，这种差异决定最终波长的出射位置。上、下分布式布拉格反射镜将有源层包裹在中间，构成的激光谐振腔使得在与腔体相垂直的方向上让往复运动的光产生谐振放大，最终达到阈值出射激光。DBR由多种折射率差别很大且晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种波长大范围可调节的VCSEL激光器阵列，其特征在于，包括若干个VCSEL激光器，各VCSEL激光器圆周上设有一个环形的加热器，各加热器的分别连接到独立可控电流，通过控制输入到各加热器的电流大小来调整各VCSEL激光器的温度，各VCSEL激光器的出射激光波长依次连续。2.根据权利要求1所述的波长大范围可调节的VCSEL激光器阵列，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑君雄，
申请(专利权)人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：