【技术实现步骤摘要】
一种波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列及调谐方法
[0001]本专利技术涉及一种波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列及调谐方法。
技术介绍
[0002]垂直腔面发射激光器(Vertical
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Cavity Surface
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Emitting Laser, VCSEL)具有体积小、相应频带宽、温度漂移小、阈值电流低、单纵模出射、发散角小、调制速率高、出射激光为圆形光斑易与光纤耦合、封装简单易于二维集成、工作寿命长等优越性能,在光纤通信、原子钟、3D传感、汽车雷达等领域的应用前景被十分看好。垂直腔面发射激光器的激光垂直于芯片表面从顶面或底面射出,出射方向由激光波长决定。
[0003]VCSEL的结构中有上、下两个分布式布拉格反射镜(DBR),分成反射区和出射区,反射区具有99.9%以上的反射率,出射区具有99%以上的反射率,这种差异决定最终波长的出射位置。上、下分布式布拉格反射镜将有源层包裹在中间,构成的激光谐振腔使得在与腔体相垂直的方向上让往复运动的光产生谐振放大,最终达到阈值出射激光 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于,各垂直腔面发射激光器的固有热阻不同,各垂直腔面发射激光器采用共阳极连接,通过选择控制不同垂直腔面发射激光器的的阴极放电来输出不同波长的出射激光。2.根据权利要求1所述的波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于,通过控制垂直腔面发射激光器的的阴极放电电流大小来调整出射激光的波长。3.根据权利要求1所述的波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于,各垂直腔面发射激光器的氧化限制层的氧化孔径均不同。4.根据权利要求1或3所述的波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于,所述垂直腔面发射激光器包括:衬底(1);形成于衬底(1)下表面的下电极(2);形成于衬底(1)上表面的缓冲层(3);形成于缓冲层(3)上表面的下分布式布拉格反射镜(4);形成于下分布式布拉格反射镜(4)上表面的有源区(5);形成于有源区(5)上表面的氧化限制层(6);形成于氧化限制层(6)上表面的上分布式布拉格反射镜(7);形成于上分布式布拉格反射镜(7)上表面的上电极(8)。5.根据权利要求2所述的波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于,驱动所述阵列的驱动电路包括:充电控制模块,用于控制电路充电;储能模块,用于存储电能;放电控制模...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑君雄,
申请(专利权)人:深圳市中科光芯半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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