一种垂直腔面发射激光器以及制备方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种垂直腔面发射激光器以及制备方法。该垂直腔面发射激光器包括：衬底；阵列排布的发光单元，发光单元位于衬底的表面；其中，发光单元设置有发光孔、第一通孔和氧化沟槽；发光孔用于出射光线；第一通孔围绕发光孔设置；氧化沟槽围绕发光孔设置；第一通孔和/或氧化沟槽被至少两个发光单元共用。本发明专利技术实施例提供的技术方案降低了垂直腔面发射激光器中发光单元之间的尺寸。面发射激光器中发光单元之间的尺寸。面发射激光器中发光单元之间的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直腔面发射激光器以及制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器以及制备方法。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)是以砷化镓半导 体材料为基础研制，因具有体积小、阈值电流低、高调制频率、易于光纤耦合等优点，不仅 可以应用于光通信、光互联、光信息处理等领域，还可以作为3D识别中结构光技术的光源 应用在手机、无人驾驶汽的激光雷达等电子消费领域。
[0003]为了实现小尺寸的垂直腔面发射激光器，需要不断地缩小垂直腔面发射激光器中发光单 元之间的尺寸。但是受限于现有的垂直腔面发射激光器的结构设置，发光单元之间的尺寸无 法继续缩小。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种垂直腔面发射激光器以及制备方法，以降低垂直腔 面发射激光器中发光单元之间的尺寸。
[0005]本专利技术实施例提供了一种垂直腔面发射激光器，包括：
[0006]衬底；
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：衬底；阵列排布的发光单元，所述发光单元位于所述衬底的表面；其中，所述发光单元设置有发光孔、第一通孔和氧化沟槽；所述发光孔用于出射光线；所述第一通孔围绕所述发光孔设置；所述氧化沟槽围绕所述发光孔设置；所述第一通孔和/或所述氧化沟槽被至少两个所述发光单元共用。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，围绕同一所述发光孔的所述氧化沟槽包括S个氧化子沟槽，其中，所述S的取值包括大于或等于2的偶数；和/或，围绕同一所述发光孔的所述第一通孔包括Q个子限位孔，其中，所述Q的取值包括大于或等于2的偶数。3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，S个所述氧化子沟槽等间距设置在环绕同一所述发光孔的周向上。4.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，Q个所述子限位孔等间距设置在环绕同一所述发光孔的周向上。5.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，在环绕同一所述发光孔的周向上，围绕所述同一发光孔的所述氧化子沟槽与围绕同一所述发光孔的所述子限位孔间隔设置，所述氧化子沟槽和所述子限位孔在所述衬底的投影面积无交叠。6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，围绕同一所述发光孔的所述氧化子沟槽邻近所述发光孔的一侧与所述发光孔的间距等于围绕同一所述发光孔的所述子限位孔邻近所述发光孔的一侧与所述发光孔的间距。7.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述发光单元包括第一反射镜，所述第一反射镜位于所述衬底的表面；有源层，所述有源层位于所述第一反射镜远离所述衬底的表面；第二反射镜，所述第二反射镜位于所述有源层远离所述衬底的表面，所述第二反射镜远离所述衬底的表面设置有所述氧化沟槽，所述氧化沟槽贯穿所述第二反射镜、所述有源层以及部分所述第一反射镜；第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述第二反射镜远离所述衬底一侧的表面以及所述氧化沟槽的底面和侧面，所述第一钝化层设置有所述第一通孔，所述第一通孔在所述衬底的投影露出部分所述第二反射镜；第一焊盘，所述第一焊盘位于所述第一钝化层远离所述衬底的表面，所述第一焊盘通过所述第一通孔与所述第二反射镜连接。8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，还包括第二钝化层，所述第二钝化层位于所述第一钝化层和所述第二反射镜之间，所述第一通孔贯穿所述第二钝化层。9.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，还包括氧化层，所述氧化层位于所述第二反射镜内，所述氧化层围成氧化孔，所述氧化孔在所述衬底的...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁玮呈，丁维遵，彭俊彦，刘嵩，梁栋，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：