【技术实现步骤摘要】
脑电波处理系统的再布线封装结构及其制作方法
[0001]本专利技术涉及集成电路封装
，尤其涉及一种脑电波处理系统的再布线封装结构及脑电波处理系统的再布线封装结构的制作方法。
技术介绍
[0002]目前生产脑电波处理系统的电路，大多用传统的方法集成到PCB（Printed Circuit Board，印制电路板）板上，这样的工艺使得PCB板上的每一颗芯片都要用一次基板来制作，导致系统集成度不高，尺寸较大，成本高。因此采用集成度高的封装方式能够有效降低产品尺寸，而在封装时若将脑电波处理系统中的所有器件均布局在同一层，则在最终完成后如检测有问题，会导致成本损耗大。
[0003]因此，如何能够提供一种集成度高且损耗小的脑电波处理系统的再布线封装结构成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供了一种脑电波处理系统的再布线封装结构及脑电波处理系统的再布线封装结构的制作方法，解决相关技术中存在的集成度低的问题。
[0005]作为本专利技术的第一个方面，提供一种脑电波...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种脑电波处理系统的再布线封装结构，其特征在于，包括：第一布线层封装体、第二布线层封装体、有源器件结构层、无源器件结构层、第一模塑结构和第二模塑结构；所述无源器件结构层设置在所述第一布线层封装体上，且与所述第一布线层封装体通过第一金属结构连接，所述第一模塑结构设置在所述第一布线层封装体上且包覆所述无源器件结构层，其中所述无源器件结构层包括脑电信号处理模组中的无源器件；所述第二布线层封装体设置在所述第一模塑结构背离所述第一布线层封装体的表面，且通过位于所述第一模塑结构内的第一连接结构与所述第一布线层封装体连接；所述有源器件结构层设置在所述第二布线层封装体上，且与所述第二布线层封装体通过第二金属结构连接，所述第二模塑结构设置在所述第二布线层封装体上且包覆所述有源器件结构层，其中所述有源器件结构层包括脑电信号处理模组中的有源器件；所述第一布线层封装体包括第一封装体结构和至少两层重布线层，每相邻两层重布线层之间以及每层重布线层的外围均被所述第一封装体结构包覆，每相邻两层重布线层之间的第一封装体结构内设置第二连接结构，每相邻两层重布线层通过所述第二连接结构连接，所述第一布线层封装体背离所述无源器件结构层的表面设置第三金属结构；所第二布线层封装体包括第二封装体结构和至少一层重布线层，每层重布线层的外围均被所述第二封装体结构包覆。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一布线层封装体包括依次间隔设置的三层重布线层，每相邻两层重布线层之间的第一封装体结构形成第一钝化层。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二连接结构包括设置在所述第一钝化层内的第一通孔以及填充在所述第一通孔内的金属，所述第一通孔连接每相邻两层的重布线层。4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属结构包括第二通孔和设置在所述第二通孔内的第一焊球，所述第二通孔设置在所述第一封装体结构靠近所述无源器件结构层的第一钝化层内，且所述第二通孔连通所述无源器件结构层和靠近所述无源器件结构层的重布线层。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二布线层封装体包括一层重布线层，包覆该一层重布线层的第二封装体结构形成第二钝化层。6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二金属结构包括第三通孔和设置在所述第三通孔中的第二焊球，所述第三通孔设置在所述第二钝化层内，且所述第三通孔连通所述有源器件结构层和所述第二布线层封装体中的一层重布线层。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第三金属结构包括第三焊球。8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一连接结构包括设置在所述第一模塑结构内的第四通孔以及填充在所述第四通孔内的金属，所述第四通孔连接所述第一布线层封装体和第二布线层封装体。9.一种脑电波处理系统的再布线封装结构的制作方法，用于制作权利要求1至8中任意一项所述的脑电波处理系统的再布线封装结构，其特征在于，所述制作方法包括：提供临时载板；在所述临时载板上依次形成第一布线层封装体、无源器件结构层、第一模塑结构、第二
布线层封装体、有源器件结构层和第二模塑结构，其中，所述无源器件结构层设置在所述第一布线层封装体上，且与所述第一布线层封装体通过第一金属结构连接，所述第一模塑结构设置在所述第一布线层封装体上且包覆所述无源...
【专利技术属性】
技术研发人员：程海洋，林挺宇，林海斌，徐庆全，张恒运，
申请(专利权)人：宁波德葳智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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