封装器件的失效定位方法技术

本发明专利技术提供一种封装器件的失效定位方法。封装器件的失效定位方法包括：获取未失效封装器件的参考信号；所述参考信号包括所述未失效封装器件的时域信号；获取失效封装器件的测量信号；所述测量信号包括所述失效封装器件的时域信号；对比所述参考信号和所述测量信号，获得所述失效封装器件的失效位置。本发明专利技术所述的封装器件的失效定位方法，分别获得未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，并通过对比未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，可以快速获得失效封装器件的精确失效位置，极大地节省了研发人员测试失效位置的时间，帮助提升企业研发竞争力，为后续开展先进封装器件失效分析定位工作提供参考。考。考。

【技术实现步骤摘要】
封装器件的失效定位方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种封装器件的失效定位方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的高速发展，人们对于器件封装的要求也越来越高，器件封装小型化、高密度化、多功能化、低功耗成为了电子产品的发展趋势。先进封装技术的出现，让业界看到了通过电子封装推动芯片高密度集成、性能提升、体积微型化和成本下降的巨大潜力，电子封装进一步成为推动半导体发展的关键力量之一。
[0003]然而器件在制造和封装过程中容易产生不同的缺陷，缺陷积累最终会造成器件失效，所以失效分析是保障先进封装器件可靠性的必要手段。封装器件因结构复杂，当前用于封装器件的缺陷检测系统已经无法应付最新的先进封装器件，传统的测试手段很难识别器件的故障位置，进而导致失效分析工作无法快速进行，导致后续失效分析的难度增加，工作效率大幅降低。因此，如何快速定位到器件失效的位置是影响失效分析成功率和时效性的关键因素。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本专利技术设计了一种封装器件的失效定位方法。可以精准定位封装器件的失效位置，极大地节省了研发人员测试失效位置的时间，帮助提升企业研发竞争力，为后续开展先进封装器件失效分析定位工作提供参考。
[0005]本专利技术设计了一种封装器件的失效定位方法，所述封装器件的失效定位方法包括：获取未失效封装器件的参考信号，所述参考信号包括所述未失效封装器件的时域信号；获取失效封装器件的测量信号，所述测量信号包括所述失效封装器件的时域信号；对比所述参考信号和所述测量信号，获得所述失效封装器件的失效位置。
[0006]本专利技术所述的封装器件的失效定位方法，分别获得未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，并通过对比未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，可以快速获得失效封装器件的精确失效位置，极大地节省了研发人员测试失效位置的时间，帮助提升企业研发竞争力，为后续开展先进封装器件失效分析定位工作提供参考。
[0007]在其中一个实施例中，所述封装器件包括多层结构；所述获取所述未失效封装器件的参考信号包括：沿厚度方向依次去除所述未失效封装器件的各层结构，并在去除每一层结构之后，均获取剩余结构的时域信号。
[0008]在其中一个实施例中，通过时域反射测量系统获取所述时域信号。
[0009]在其中一个实施例中，所述通过时域反射测量系统获取所述时域信号，包括：
通过时域反射测量系统中的探针接触所述未失效封装器件的封装管脚，所述探针发射脉冲信号，所述脉冲信号在所述未失效封装器件的引线中传播，以得到所述时域信号。
[0010]在其中一个实施例中，所述去除所述未失效封装器件的各层结构的方法包括机械研磨法、离子刻蚀法和化学腐蚀法中的至少一种。
[0011]在其中一个实施例中，所述获取未失效封装器件的参考信号之前，还包括：采用 3D X
‑
射线的方法对所述未失效封装器件进行扫描分析；记录所述未失效封装器件的封装结构及各层结构的物理参数；所述物理参数包括所述未失效封装器件的各层结构的形状和厚度。
[0012]在其中一个实施例中，所述获取失效封装器件的测量信号包括：通过时域反射测量系统获取所述失效封装器件的整体结构的时域信号。
[0013]在其中一个实施例中，所述对比所述参考信号和所述测量信号，获得所述失效封装器件的失效位置，包括：对比所述未失效封装器件的时域信号和所述失效封装器件的整体结构的时域信号，确定所述失效封装器件的失效位置。
[0014]在其中一个实施例中，所述封装器件包括：裸片结构层、微凸点结构层、通孔结构、硅转接板结构层、可控塌陷芯片连接凸起结构层、封装层、球栅阵列封装结构层及叠印制板结构层。
[0015]在其中一个实施例中，所述微凸点结构层中的最小的微凸点的直径小于20μm；所述通孔结构中的最小的通孔的直径小于20μm。
附图说明
[0016]图1是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法的步骤流程示意图；图2是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的封装器件的结构示意图；图3是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程示意图；图4是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S301获得的时域信号曲线图；图5是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S302获得的时域信号曲线图；图6是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S302获得的未失效封装器件的结构；图7是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S303获得的时域信号曲线图；图8是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S303获得的未失效封装器件的结构；图9是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S304获得的时域信号曲线图；图10是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件
的参考信号的步骤流程S304获得的未失效封装器件的结构；图11是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S305获得的时域信号曲线图；图12是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S305获得的未失效封装器件的结构；图13是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S306获得的时域信号曲线图；图14是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S306获得的未失效封装器件的结构；图15是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S306获得的时域信号曲线图；图16是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获取未失效封装器件的参考信号的步骤流程S306获得的未失效封装器件的结构；图17是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中的获得的失效封装器件的整体结构的时域信号曲线图；图18是本专利技术一个实施例中封装器件的失效定位方法中获得的未失效封装器件的时域信号曲线图和失效封装器件的时域信号曲线图；其中，曲线1是未失效封装器件整体结构的时域信号曲线；曲线2是未失效封装器件去除第一层结构之后的时域信号曲线；曲线3是未失效封装器件去除第二层结构之后的时域信号曲线；曲线4是未失效封装器件去除第三层结构之后的时域信号曲线；曲线5是未失效封装器件去除第四层结构之后的时域信号曲线；曲线6是未失效封装器件去除第五层结构之后的时域信号曲线；曲线7是未失效封装器件去除第六层结构之后的时域信号曲线；曲线8是失效器件的整体结构的时域信号曲线。
[0017]附图说明：10、叠印制板结构层；20；球栅阵列封装结构层；30、封装层；40、可控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述封装器件的失效定位方法包括：获取未失效封装器件的参考信号，所述参考信号包括所述未失效封装器件的时域信号；获取失效封装器件的测量信号，所述测量信号包括所述失效封装器件的时域信号；对比所述参考信号和所述测量信号，获得所述失效封装器件的失效位置。2.根据权利要求1所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述封装器件包括多层结构；所述获取所述未失效封装器件的参考信号包括：沿厚度方向依次去除所述未失效封装器件的各层结构，并在去除每一层结构之后，均获取剩余结构的时域信号。3.根据权利要求2所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，通过时域反射测量系统获取所述时域信号。4.根据权利要求3所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述通过时域反射测量系统获取所述时域信号，包括：通过时域反射测量系统中的探针接触所述未失效封装器件的封装管脚，所述探针发射脉冲信号，所述脉冲信号在所述未失效封装器件的引线中传播，以得到所述时域信号。5.根据权利要求2所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述去除所述未失效封装器件的各层结构的方法包括机械研磨法、离子刻蚀法和化学腐蚀法中的至少一种。6.根据权利要求2所述的封...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪毅强，石高明，张志鑫，杨施政，何亮，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：