【技术实现步骤摘要】
体声波滤波器及其制作方法、通讯装置
[0001]本公开的实施例涉及一种体声波滤波器及其制作方法、通讯装置。
技术介绍
[0002]随着5G技术不断发展,射频滤波器的应用与需求不断升级,对于射频滤波器的性能指标要求越来越高。通常,根据射频滤波器的声波的传递方式,射频滤波器被分为:体声波滤波器和声表面波滤波器。
[0003]声表面波滤波器的工作频率一般在2.5 GHz以下,体声波滤波器的工作频率一般在1.5 GHz~10 GHz。相较之下,体声波滤波器的工作频率更高;另外,体声波滤波器还具有对温度变化不敏感、插入损耗小、品质因数(Q)高、功率承受能力强、可靠性高等优点。
技术实现思路
[0004]本公开实施例提供了一种体声波滤波器及其制作方法和通讯装置。该体声波滤波器包括第一滤波器基板和第二滤波器基板;第一滤波器基板包括第一衬底基板和位于第一衬底基板上的第一谐振器、第一电极焊盘和第一辅助焊盘;第二滤波器基板包括第二衬底基板和位于第二衬底基板上的第二谐振器、第二电极焊盘和第二辅助焊盘;第一滤波器基板与第二滤波器基板相对设置,以在所述第一滤波器基板和所述第二滤波器基板之间形成空腔,第一电极焊盘和第二辅助焊盘接触设置,第二电极焊盘和第一辅助焊盘接触设置;第一电极焊盘远离第一衬底基板的表面与第一衬底基板远离第二衬底基板的第一背面之间的距离与第二辅助焊盘远离第二衬底基板的表面与第二衬底基板远离第一衬底基板的第二背面的距离之和大于第一谐振器远离第一衬底基板的表面与第一衬底基板的第一背面之间的第一距离和第二谐振 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种体声波滤波器,其特征在于,包括:第一滤波器基板,包括第一衬底基板和位于所述第一衬底基板上的第一谐振器、第一电极焊盘和第一辅助焊盘;以及第二滤波器基板,包括第二衬底基板和位于所述第二衬底基板上的第二谐振器、第二电极焊盘和第二辅助焊盘,其中,所述第一滤波器基板与所述第二滤波器基板相对设置,以在所述第一滤波器基板和所述第二滤波器基板之间形成空腔,所述第一电极焊盘和所述第二辅助焊盘接触设置,所述第二电极焊盘和所述第一辅助焊盘接触设置,所述第一电极焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板远离所述第二衬底基板的第一背面之间的距离与所述第二辅助焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板远离所述第一衬底基板的第二背面的距离之和大于所述第一谐振器远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的所述第一背面之间的第一距离和所述第二谐振器远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面之间的第二距离之和,所述第二电极焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面之间的距离与所述第一辅助焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的所述第一背面之间的距离之和大于所述第一距离和所述第二距离之和。2.根据权利要求1所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一谐振器与所述第二谐振器在垂直于所述第一衬底基板的方向上间隔设置。3.根据权利要求1所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一电极焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的所述第一背面的距离与所述第一辅助焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的第一背面的距离均大于所述第一距离。4.根据权利要求3所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一电极焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的所述第一背面的距离与所述第一辅助焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的所述第一背面的距离相等。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第二电极焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面的距离与所述第二辅助焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面的距离均大于所述第二距离。6.根据权利要求5所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第二电极焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面的距离与所述第二辅助焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面的距离相等。7.根据权利要求1
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4中任一项所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一谐振器包括第一压电层,第一上电极和第一下电极,所述第一衬底基板包括第一凹槽,所述第一压电层横跨所述第一凹槽,所述第一下电极位于所述第一压电层靠近所述第一衬底基板的一侧,所述第一上电极位于所述第一压电层远离所述第一下电极的一侧。8.根据权利要求7所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一电极焊盘的厚度和所述第一辅助焊盘的厚度均大于所述第一上电极的厚度。9.根据权利要求1
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4中任一项所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第二谐振器包括
第二压电层,第二上电极和第二下电极,所述第二衬底基板包括第二凹槽,所述第二压电层横跨所述第二凹槽,所述第二下电极位于所述第二压电层靠近所述第二衬底基板的一侧,所述第二上电极位于所述第二压电层远离所述第二下电极的一侧。10.根据权利要求9所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第二电极焊盘的厚度和所述第二辅助焊盘的厚度均大于所述第二上电极的厚度。11.根据权利要求1
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4中任一项所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一衬底基板包括第一谐振器区域和围绕所述第一谐振器区域设置的第一焊盘区域,所述第一谐振器位于所述第一谐振器区域之内,所述第一电极焊盘和所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构,
申请(专利权)人:深圳新声半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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