声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置制造方法及图纸

一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置，其中声表面波谐振装置，包括：压电基底；电极层，位于所述压电基底上；温度补偿层，位于所述电极层上；粒子注入部，位于所述压电基底或温度补偿层内。通过形成粒子注入部，以减慢声波在所述粒子注入部表面的传播速度，使谐振装置进入piston模态，从而可以抑制高阶模态下的横向寄生谐振。制高阶模态下的横向寄生谐振。制高阶模态下的横向寄生谐振。

【技术实现步骤摘要】
声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置
[0001]本申请要求2021年9月8日提交中国专利局、申请号为202111054038.3、专利技术名称为“声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置”的中国专利申请的优先权，其内容通过引用结合在本申请中。


[0002]本专利技术涉及半导体
，具体而言，本专利技术涉及一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置。

技术介绍

[0003]无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(SurfaceAcoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(BulkAcoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System， MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated PassiveDevices，IPD)滤波器等。
[0004]SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即SAW滤波器和BAW滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。 SAW滤波器的使用频率一般为0.4GHz至2.7GHz，BAW滤波器的使用频率一般为0.7GHz至7GHz。/>[0005]然而，现有技术中形成的声表面波谐振器仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术解决的问题是提供一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置、射频前端装置，可以抑制高阶模态下的横向寄生谐振。
[0007]为解决上述问题，本专利技术技术方案提供一种声表面波谐振装置，包括：压电基底，所述压电基底包括位于第一侧的粒子注入部，所述粒子注入部嵌入所述压电基底；电极层，位于所述第一侧，位于所述粒子注入部上方，所述电极层包括：多个第一电极条及连接多个所述第一电极条的第一总线，多个第二电极条及连接多个所述第二电极条的第二总线，多个所述第一电极条和多个所述第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置；所述粒子注入部位于多个所述第一电极条和多个所述第二电极条的重合区域靠近所述第一总线和所述第二总线的两侧下方，还位于多个所述第一电极条中的一个第一电极条与相邻的多个所述第二电极条中的一个第二电极条之间。
[0008]可选的，所述粒子注入部包括第一子部和第二子部，所述第一子部靠近所述第一总线，所述第二子部靠近所述第二总线。
[0009]可选的，多个所述第一电极条靠近所述第二总线的多个第一端与所述第二子部具有多个第一重合部，多个所述第二电极条靠近所述第一总线的多个第二端与所述第一子部
具有多个第二重合部。
[0010]可选的，所述第一子部还位于多个所述第二重合部之间，连接多个所述第二重合部，所述第二子部还位于多个所述第一重合部之间，连接多个所述第一重合部。
[0011]可选的，所述第一子部还位于多个所述第二端与所述第一总线之间，所述第二子部还位于多个所述第一端与所述第二总线之间。
[0012]可选的，所述粒子注入部包括多个第三子部和多个第四子部，多个所述第三子部靠近所述第一总线，多个所述第四子部靠近所述第二总线。
[0013]可选的，多个所述第四子部与多个所述第一电极条靠近所述第二总线的对应的多个第一端具有多个第三重合部，多个所述第三子部与多个所述第二电极条靠近所述第一总线的对应的多个第二端具有多个第四重合部。
[0014]可选的，多个所述第三子部中的至少一个还位于多个所述第四重合部与相邻的第一电极条之间，多个所述第四子部中的至少一个还位于多个所述第三重合部与相邻的第二电极条之间。
[0015]可选的，多个所述第三子部中的至少一个还位于多个所述第二端与所述第一总线之间，多个所述第四子部中的至少一个还位于多个所述第一端与所述第二总线之间。
[0016]可选的，多个所述第四子部位于多个所述第一电极条靠近所述第二总线的多个第一端与相邻的第二电极条之间，多个所述第三子部位于多个所述第二电极条靠近所述第一总线的多个第二端与相邻的第一电极条之间。
[0017]可选的，还包括：温度补偿层，位于所述压电基底上，覆盖所述电极层。
[0018]本专利技术技术方案中还提供一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：压电基底；电极层，位于所述压电基底上，所述电极层包括：多个第一电极条及连接多个所述第一电极条的第一总线，多个第二电极条及连接多个所述第二电极条的第二总线，多个所述第一电极条和多个所述第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置；温度补偿层，位于所述电极层上，所述温度补偿层包括第一侧及与所述第一侧垂直方向上相对的第二侧，所述电极层位于所述第二侧，所述温度补偿层还包括位于所述第一侧的粒子注入部，所述粒子注入部嵌入所述温度补偿层；所述粒子注入部位于多个所述第一电极条和多个所述第二电极条的重合区域靠近所述第一总线和所述第二总线的两侧上方。
[0019]可选的，所述粒子注入部还位于多个所述第一电极条中的一个第一电极条与相邻的多个所述第二电极条中的一个第二电极条之间。
[0020]可选的，所述粒子注入部包括第一子部和第二子部，所述第一子部靠近所述第一总线，所述第二子部靠近所述第二总线。
[0021]可选的，多个所述第一电极条靠近所述第二总线的多个第一端与所述第二子部具有多个第一重合部，多个所述第二电极条靠近所述第一总线的多个第二端与所述第一子部具有多个第二重合部。
[0022]可选的，所述第一子部还位于多个所述第二重合部之间，连接多个所述第二重合部，所述第二子部还位于多个所述第一重合部之间，连接多个所述第一重合部。
[0023]可选的，所述第一子部还位于多个所述第二端与所述第一总线之间，所述第二子部还位于多个所述第一端与所述第二总线之间。
[0024]可选的，所述粒子注入部包括多个第三子部和多个第四子部，多个所述第三子部
靠近所述第一总线，多个所述第四子部靠近所述第二总线。
[0025]可选的，多个所述第四子部与多个所述第一电极条靠近所述第二总线的对应的多个第一端具有多个第三重合部，多个所述第三子部与多个所述第二电极条靠近所述第一总线的对应的多个第二端具有多个第四重合部。
[0026]可选的，多个所述第三子部中的至少一个还位于多个所述第四重合部与相邻的第一电极条之间，多个所述第四子部中的至少一个还位于多个所述第三重合部与相邻的第二电极条之间。
[0027]可选的，多个所述第三子部中的至少一个还位于多个所述第二端与所述第一总线之间，多个所述第四子部中的至少一个还位于多个所述第一端与所述第二总线之间。
[0028]可选的，多个所述第四子部位于多个所述第一电极条靠近所述第二总本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：压电基底，所述压电基底包括位于第一侧的粒子注入部，所述粒子注入部嵌入所述压电基底；电极层，位于所述第一侧，位于所述粒子注入部上方，所述电极层包括：多个第一电极条及连接多个所述第一电极条的第一总线，多个第二电极条及连接多个所述第二电极条的第二总线，多个所述第一电极条和多个所述第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置；所述粒子注入部位于多个所述第一电极条和多个所述第二电极条的重合区域靠近所述第一总线和所述第二总线的两侧下方，还位于多个所述第一电极条中的一个第一电极条与相邻的多个所述第二电极条中的一个第二电极条之间。2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述粒子注入部包括第一子部和第二子部，所述第一子部靠近所述第一总线，所述第二子部靠近所述第二总线。3.如权利要求2所述的声表面波谐振装置，其特征在于，多个所述第一电极条靠近所述第二总线的多个第一端与所述第二子部具有多个第一重合部，多个所述第二电极条靠近所述第一总线的多个第二端与所述第一子部具有多个第二重合部。4.如权利要求3所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一子部还位于多个所述第二重合部之间，连接多个所述第二重合部，所述第二子部还位于多个所述第一重合部之间，连接多个所述第一重合部。5.如权利要求4所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一子部还位于多个所述第二端与所述第一总线之间，所述第二子部还位于多个所述第一端与所述第二总线之间。6.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述粒子注入部包括多个第三子部和多个第四子部，多个所述第三子部靠近所述第一总线，多个所述第四子部靠近所述第二总线。7.如权利要求6所述的声表面波谐振装置，其特征在于，多个所述第四子部与多个所述第一电极条靠近所述第二总线的对应的多个第一端具有多个第三重合部，多个所述第三子部与多个所述第二电极条靠近所述第一总线的对应的多个第二端具有多个第四重合部。8.如权利要求7所述的声表面波谐振装置，其特征在于，多个所述第三子部中的至少一个还位于多个所述第四重合部与相邻的第一电极条之间，多个所述第四子部中的至少一个还位于多个所述第三重合部与相邻的第二电极条之间。9.如权利要求8所述的声表面波谐振装置，其特征在于，多个所述第三子部中的至少一个还位于多个所述第二端与所述第一总线之间，多个所述第四子部中的至少一个还位于多个所述第一端与所述第二总线之间。10.如权利要求6所述的声表面波谐振装置，其特征在于，多个所述第四子部位于多个所述第一电极条靠近所述第二总线的多个第一端与相邻的第二电极条之间，多个所述第三子部位于多个所述第二电极条靠近所述第一总线的多个第二端与相邻的第一电极条之间。11.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，还包括：温度补偿层，位于所述压电基底上，覆盖所述电极层。12.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：压电基底；
电极层，位于所述压电基底上，所述电极层包括：多个第一电极条及连接多个所述第一电极条的第一总线，多个第二电极条及连接多个所述第二电极条的第二总线，多个所述第一电极条和多个所述第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置；温度补偿层，位于所述电极层上，所述温度补偿层包括第一侧及与所述第一侧垂直方向上相对的第二侧，所述电极层位于所述第二侧，所述温度补偿层还包括位于所述第一侧的粒子注入部，所述粒子注入部嵌入所述温度补偿层；所述粒子注入部位于多个所述第一电极条和多个所述第二电极条的重合区域靠近所述第一总线和所述第二总线的两侧上方。13.如权利要求12所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述粒子注入部还位于多个所述第一电极条中的一个第一电极条与相邻的多个所述第二电极条中的一个第二电极条之间。14.如权利要求12所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述粒子注入部包括第一子部和第二子部，所述第一子部靠近所述第一总线，所述第二子部靠近所述第二总线。15.如权利要求14所述的声表面波谐振装置，其特征在于，多个所述第一电极条靠近所述第二总线的多个第一端与所述第二子部具有多个第一重合部，多个所述第二电极条靠近所述第一总线的多个第二端与所述第一子部具有多个第二重合部。16.如权利要求15所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一子部还位于多个所述第二重合部之间，连接多个所述第二重合部，所述第二子部还位于多个所述第一重合部之间，连接多个所述第一重合部。17.如权利要求16所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一子部还位于多个所述第二端与所述第一总线之间，所述第二子部还位于多个所述第一端与所述第二总线之间。18.如权利要求12所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述粒子注入部包括多个第三子部和多个第四子部，多个所述第三子部靠近所述第一总线，多个所述第四子部靠近所述第二总线。19.如权利要求18所述的声表面波谐振装置，其特征在于，多个所述第四子部与多个所述第一电极条靠近...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹雅丽，王斌，韩兴，周建，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：