一种可调谐半导体激光器芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可调谐半导体激光器芯片，包括：沿第一方向依次设置的半导体波长调控区、量子阱增益区、光学薄膜波长调控区；沿所述第一方向，所述半导体波长调控区的一端设有出光面；所述光学薄膜波长调控区为介质膜。本实用新型专利技术能够实现可调谐半导体激光器芯片的体积减小，增加了芯片在晶圆上的物理数量，从而降低芯片的成本。从而降低芯片的成本。从而降低芯片的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种可调谐半导体激光器芯片


[0001]本技术涉及半导体
，具体涉及一种可调谐半导体激光器芯片。

技术介绍

[0002]可调谐半导体激光器是新一代密集波分复用系统以及全光网络中光子交换的关键光电子器件，它的运用使得光纤传输系统容量大大增加，灵活性和可扩展性大大增强。
[0003]目前现有技术已经实现了宽波长范围的连续或准连续调谐，但其缺陷在于产品仍存在着成本高问题。

技术实现思路

[0004]为此，本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中的缺陷。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供了一种可调谐半导体激光器芯片，包括：
[0006]沿第一方向依次设置的半导体波长调控区、量子阱增益区、光学薄膜波长调控区；
[0007]沿所述第一方向，所述半导体波长调控区的一端设有出光面；
[0008]所述光学薄膜波长调控区为介质膜。
[0009]作为本技术的一种优选方式，所述介质膜沿所述第一方向设有至少一层。
[0010]作为本技术的一种优选方式，所述介质膜包括SiO膜。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可调谐半导体激光器芯片，其特征在于，包括：沿第一方向依次设置的半导体波长调控区、量子阱增益区、光学薄膜波长调控区；沿所述第一方向，所述半导体波长调控区的一端设有出光面；所述光学薄膜波长调控区为介质膜。2.根据权利要求1所述的一种可调谐半导体激光器芯片，其特征在于，所述介质膜沿所述第一方向设有至少一层。3.根据权利要求2所述的一种可调谐半导体激光器芯片，其特征在于，所述介质膜包括SiO膜。4.根据权利要求2所述的一种可调谐半导体激光器芯片，其特征在于，所述介质膜包括TiO膜。5.根据权利要求1所述的一种可调谐半导体激光器芯片，其特征在于，还包括沿第二方向依次设置热电薄膜、SiO2层、上波导层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金胜，张登巍，冯丽彬，李鑫，
申请(专利权)人：苏州鼎芯光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：