一种半导体塑封体研磨用研磨块及磨轮的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体塑封体研磨用研磨块及磨轮的制备方法，其中一种半导体塑封体研磨用研磨块的制备方法，包括如下步骤：1)原料烘干；2)金刚石粉体筛分；3)配料；4)压制成型；5)热处理、去毛边；6)研磨块烧结。一种半导体塑封体研磨用磨轮的制备方法，包括如下步骤：1)粘接、精修；用AB胶将根据上述方法制备的研磨块粘接在与之大小尺寸匹配的铝合金基体上得到磨轮；2)测试动平衡；3)清洗；4)检验；5)打标与包装。通过本发明专利技术所述方法制备的磨轮在研磨过程中，产品表面不出现划伤，从而提高磨轮使用寿命，降低客户的生产成本，实现磨轮制品的产业化应用。品的产业化应用。品的产业化应用。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体塑封体研磨用研磨块及磨轮的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工技术，具体涉及一种半导体塑封体研磨用研磨块及磨轮的制备方法。

技术介绍

[0002]电子封装是半导体产业的重要组成部分，它处于半导体产业的后端工序，主要工序为晶圆减薄(Wafer back grinding)、晶圆切割(Wafer saw)、晶片粘接(Die attach)、引线键合(Wire bond)、塑封(Compound molding)、塑封体研磨(Compound grinding)、塑封切割(Compound singulation)、打标(Marking)、测试(Testing)等。其中塑封体研磨基本方法为，将专用的磨轮安装在全自动精密研磨机上，用磨轮将塑封体背面多余的材料按照要求磨掉，达到所期望的厚度，同时保证研磨面的表面粗糙度及光洁度。由于塑封材料型号与厚度的不同，在线研磨条件异常苛刻，研磨质量指标要求极高。
[0003]目前，半导体塑封体研磨用磨轮几乎全部依赖进口，塑封体研磨轮基本上由日本与韩国制造商所垄断，技术严密封锁。国内磨轮企业本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体塑封体研磨用研磨块的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)原料烘干；将陶瓷结合剂、金刚石粉体和造孔剂氧化铝空心球置于干燥箱中烘干；2)金刚石粉体筛分；选择比所选用金刚石粉体粒度大两个标准等级的筛网，利用振动筛分机对金刚石粉体进行过筛处理，以去除金刚石粉体中的大颗粒金刚石；3)配料；按质量百分比称取35
‑
50％的陶瓷结合剂、35
‑
50％的金刚石粉体、10
‑
20％的氧化铝空心球和5
‑
10％的用于润湿陶瓷结合剂的辅助剂，装入混料罐体后放入三维混料机中充分混合均匀，得到原料混合物；4)压制成型；量取原料混合物，倒入研磨块成型模具中，在压机上压制成型，脱模后取出研磨块；5)热处理、去毛边；将压制好的研磨块置于干燥箱中进行热处理，热处理温度为60
‑
100℃，时间为4
‑
8h，热处理后去除研磨块表面碎屑和毛边；6)研磨块烧结；将研磨块置于烧结炉中，从室温以1
‑
2℃/min的升温速率，升温至200
‑
300℃，并保温2
‑
4h，然后以3
‑
5℃/min的升温速率，升温至650
‑
750℃，并保温3
‑
5h，然后随炉冷却至室温后取出得成品研磨块。2.如权利要求1所述的半导体塑封体研磨用研磨块的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中陶瓷结合剂按质量百分比包括50
‑
70％的二氧化硅、5
‑
15％的三氧化二硼、5
‑
15％的氧化铝、5
‑
10％的氧化钙、1
‑
5％的氧化钠和1
‑
5％的氧化镁，所述陶瓷结合剂的粒度为10
‑
50μm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷攀峰，
申请(专利权)人：西安易星新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：