一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料及其制备方法，所述铌酸铋钙基陶瓷材料，其化学通式为：Ca1‑

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于陶瓷材料制备
，具体涉及一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]高温压电陶瓷作为一种能在高温环境下工作的压电陶瓷，被广泛应用于传感器、滤波器、换能器等领域。目前，受限于压电陶瓷的居里温度，大部分的高温压电器件的工作温度都低于500℃。
[0003]然而，在一些特殊的高温领域，如航空航天、核工业以及石油勘探等，迫切需要能够在500℃以上的高温环境下稳定工作的压电器件。目前商业化的PZT(PbZrO3‑
PbTiO3)和PT(PbTiO3)体系的居里温度都在490℃以下，高于居里温度时会发生退极化而无法使用。因此迫切需要开发一种超高居里温度的压电陶瓷来应用于一些特殊的高温环境。
[0004]铋层状结构压电陶瓷具有较高的居里温度(650～950℃)、低介电常数、低老化率以及高电阻率等特点。这使得铋层状结构压电陶瓷在制造高温压电传感器方面具有广阔的前景。铋层状结构压电陶瓷是由铋氧层((Bi2O2)/>2+
)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料，其特征在于：所述铌酸铋钙基陶瓷材料，其化学通式为：Ca1‑
2x
Sm
x
Na
x
Bi2Nb2O9，其中，0.005≤x＜0.05。2.根据权利要求1所述的一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料，其特征在于：所述铌酸铋钙基陶瓷材料，其化学通式为：Ca1‑
2x
Sm
x
Na
x
Bi2Nb2O9，其中，0.01≤x≤0.05。3.根据权利要求1所述的一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料，其特征在于：所述铌酸铋钙基陶瓷材料，其化学通式为：Ca1‑
2x
Sm
x
Na
x
Bi2Nb2O9，其中，0.01≤x≤0.025。4.权利要求1
‑
3任意一项所述的一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：按设计比例配取CaCO3粉体、Bi2O3粉体、Nb2O5粉体、Sm2O3粉体和NaCO3粉体，第一次球磨、预烧结、第二次球磨获得混合粉料，然后将混合粉料经造粒获得粒料、粒料压制成型获得生坯片、再将生坯片排塑、烧结得到铌酸铋钙陶瓷材料。5.根据权利要求4所述的一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述第一次球磨为湿法球磨，球磨介质为无水乙醇，球磨时间为6
‑
12h，球磨的转速为300
‑
400r/min；所述第二次球磨为湿法球磨，球磨介质为无水乙醇，球磨时间为12
‑
24h，球磨的转速为300
...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗行，罗小刚，晏忠钠，张斗，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：