【技术实现步骤摘要】
一种稀土掺杂氧化锌压敏陶瓷、制备方法及其应用
[0001]本专利技术涉及半导体材料
,具体涉及一种稀土掺杂氧化锌压敏陶瓷、制备方法及其应用。
技术介绍
[0002]压敏电阻是避雷器的核心组件,开发具有较高的非线性系数与电位梯度的高性能高压压敏电阻,可以实现避雷器的小型化和低成本。稀土掺杂ZnO压敏陶瓷具有高电位梯度(≥1000V/mm)和高非线性系数(≥30)。烧结过程中稀土氧化物会偏析在氧化锌晶界中,或与其他元素形成第二相,起到“钉扎”作用,抑制ZnO晶粒生长,从而提高电位梯度。同时晶界增多,由此每个晶界上产生的氧分压减小,从而提高非线性系数。一般采用传统烧结方法制备ZnO压敏陶瓷。然而,一方面,常规烧结的高温(≥1100℃)和较长的保温时间(>3h)导致大量的能源消耗。另一方面,高温下较长的烧结时间会导致晶粒异常生长,从而导致烧结样品的最终电学性能变差。因此,有必要寻找一种新的烧结方法来降低烧结温度,缩短加工时间。
[0003]闪烧技术是一种新出现的电场辅助烧结技术。相对于传统烧结,闪烧技术具 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种稀土掺杂氧化锌压敏陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将氧化物粉末混合物在含玛瑙球的乙醇中球磨24h,然后在80℃下干燥24h得到干燥粉末;S2:向步骤S1中得到的干燥粉末中加入粘合剂,在310MPa下保持2min,将混合粉末单轴压制成圆盘;S3:将步骤S2中得到的圆盘升温至500℃保温1h后冷却,以去除粘合剂得到试样;S4:将步骤S3中得到的试样置于管式炉,试样两端接直流电源提供电场,以10℃/min的加热速率加热;S5:当样品温度达到950℃时,保持15min后施加150V/cm~300V/cm的电场,初始预设电流为1.5A,当施加电场时,电流每5s增加0.5A直到达到限制电流2.5A,然后关闭直流电源,将样品冷却至室温。2.如权利要求1所述的一种稀土掺杂氧化锌压敏陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中氧化物粉末混合物按摩尔份数包括:稀土氧化物1~1.5份;所述稀土氧化包括Y2O3、Sc2O3、La2O3、Ce2O3、Pr5O
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、Tm2O3、Er2O3中的...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐东,姜明,张雷,孙华为,刘娟,李家茂,
申请(专利权)人:中机智能装备创新研究院宁波有限公司,
类型:发明
国别省市:
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