集成电路及其设计方法和设计装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

一种集成电路及其设计方法和设计装置、电子设备及存储介质，该设计方法包括：获取集成电路的初始设计方案；以及基于初始设计方案，得到集成电路的应用设计方案；在该初始设计方案中，集成电路包括第一导电部和第二导电部，第一导电部包括位于不同导电层中的多个第一子部，第二导电部包括位于不同导电层中的多个第二子部；第一导电部和第二导电部均至少通过第一相邻导电层以及第二相邻导电层；在导电层的层叠方向上，第一相邻导电层中的第一子部与第二相邻导电层中的第一子部和第二子部均交叠，第一相邻导电层中的第二子部与第二相邻导电层中的第一子部和第二子部均交叠。该设计方法有助于节省基于初始设计方案得到应用设计方案的研发成本。方案的研发成本。方案的研发成本。

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其设计方法和设计装置、电子设备及存储介质


[0001]本公开的实施例涉及一种集成电路的设计方法、集成电路设计装置、集成电路、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]目前，随着芯片工艺技术的不断发展和进步，高速度、高集成度、低功耗和低成本已成为集成电路产业的主要发展方向，市场对于芯片产品的性能要求也相应提升，因此芯片的设计规模和复杂度也随之大大增加。

技术实现思路

[0003]本公开至少一个实施例提供一种集成电路的设计方法，该设计方法包括：获取集成电路的初始设计方案；以及基于所述初始设计方案，得到所述集成电路的应用设计方案；所述集成电路包括多个导电层，所述多个导电层彼此层叠设置，每两个相邻的导电层之间设置有至少一个绝缘层，以使所述两个相邻的导电层之间彼此间隔且绝缘；在所述初始设计方案中，所述集成电路包括彼此绝缘的第一导电部和第二导电部，所述第一导电部包括分别位于不同导电层中的多个第一子部以及位于所述不同导电层之间以连接所述多个第一子部的第一连接部，所述第二导电部包括分别位于不同导电层中的多个第二子部以及位于所述不同导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路的设计方法，包括：获取集成电路的初始设计方案；以及基于所述初始设计方案，得到所述集成电路的应用设计方案；其中，所述集成电路包括多个导电层，所述多个导电层彼此层叠设置，每两个相邻的导电层之间设置有至少一个绝缘层，以使所述两个相邻的导电层之间彼此间隔且绝缘；在所述初始设计方案中，所述集成电路包括彼此绝缘的第一导电部和第二导电部，所述第一导电部包括分别位于不同导电层中的多个第一子部以及位于所述不同导电层之间以连接所述多个第一子部的第一连接部，所述第二导电部包括分别位于不同导电层中的多个第二子部以及位于所述不同导电层之间以连接所述多个第二子部的第二连接部；所述多个导电层中包括相邻的第一相邻导电层和第二相邻导电层，所述第一导电部至少通过所述第一相邻导电层以及所述第二相邻导电层，且所述第二导电部至少通过所述第一相邻导电层以及所述第二相邻导电层；在所述第一相邻导电层与所述第二相邻导电层的层叠方向上，所述第一相邻导电层中的第一子部与所述第二相邻导电层中的第一子部以及第二子部均至少部分交叠，所述第一相邻导电层中的第二子部与所述第二相邻导电层中的第一子部以及第二子部均至少部分交叠。2.根据权利要求1所述的集成电路的设计方法，其中，所述集成电路的应用设计方案与所述初始设计方案相同。3.根据权利要求1或2所述的集成电路的设计方法，其中，所述第一相邻导电层中的第一子部与第二子部之间彼此间隔且绝缘，且相对于第一基准点呈中心对称设置；所述第二相邻导电层中的第一子部与第二子部之间彼此间隔且绝缘，且相对于第二基准点呈中心对称设置；所述集成电路还包括位于所述第一相邻导电层与所述第二相邻导电层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括至少一个第一过孔和至少一个第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔贯穿所述第一绝缘层，且分别用于设置所述第一连接部和所述第二连接部，所述第一过孔与所述第二过孔相对于第三基准点呈中心对称设置；所述第一基准点、所述第二基准点以及所述第三基准点在所述层叠方向上彼此重叠。4.根据权利要求3所述的集成电路的设计方法，其中，所述第一相邻导电层中的第一子部与第二子部之间设置有第一间隔区域，所述第一基准点为所述第一间隔区域的中心；所述第二相邻导电层中的第一子部与第二子部之间设置有第二间隔区域，所述第二基准点为所述第二间隔区域的中心。5.根据权利要求3所述的集成电路的设计方法，其中，所述第一相邻导电层中的第一子部和第二子部整体上在基准平面内的正投影与所述第二相邻导电层中的第一子部和第二子部整体上在所述基准平面内的正投影彼此不同，所述基准平面垂直于所述层叠方向。6.根据权利要求5所述的集成电路的设计方法，其中，所述第一相邻导电层中的第一子部和第二子部在所述基准平面内的正投影所围成的区域与所述第二相邻导电层中的第一
子部和第二子部在所述基准平面内的正投影所围成的区域具有相同的尺寸及形状。7.根据权利要求6所述的集成电路的设计方法，其中，所述第一相邻导电层中的第一子部在所述基准平面内的正投影所围成的区域的尺寸及形状与所述第二相邻导电层中的第一子部在所述基准平面内的正投影所围成的区域的尺寸及形状相同，所述第一相邻导电层中的第二子部在所述基准平面内的正投影所围成的区域的尺寸及形状与所述第二相邻导电层中的第二子部在所述基准平面内的正投影所围成的区域的尺寸及形状相同。8.根据权利要求6所述的集成电路的设计方法，其中，所述第一相邻导电层中的第一子部和第二子部构成的整体图案为呈中心对称的双L型图案，所述第二相邻导电层中的第一子部和第二子部构成的整体图案为呈中心对称的双L型图案。9.根据权利要求5所述的集成电路的设计方法，其中，所述第一相邻导电层中的第一子部在所述基准平面内的正投影所围成的区域的尺寸及形状与所述第二相邻导电层中的第一子部在所述基准平面内的正投影所围成的区域的尺寸及形状不同，所述第一相邻导电层中的第二子部在所述基准平面内的正投影所围成的区域的尺寸及形状与所述第二相邻导电层中的第二子部在所述基准平面内的正投影所围成的区域的尺寸及形状不同。10.根据权利要求9所述的集成电路的设计方法，其中，所述第一相邻导电层中的第一子部和第二子部构成的整体图案为呈中心对称的双U型图案，所述第二相邻导电层中的第一子部和第二子部构成的整体图案为呈中心对称的双Z型图案。11.根据权利要求3所述的集成电路的设计方法，其中，所述第一导电部用于传输第一信号，所述第二导电部用于传输不同于所述第一信号的第二信号，所述集成电路的初始设计方案还包括：响应于所述第一信号的输入接口与所述第二信号的输入接口设置在同一导电层中，所述第一信号的输入接口与所述第二信号的输入接口之间呈中心对称设置；响应于所述第一信号的输出接口与所述第二信号的输出接口设置在同一导电层中，所述第一信号的输出接口与所述第二信号的输出接口之间呈中心对称设置。12.根据权利要求11所述的集成电路的设计方法，其中，在所述层叠方向上，所述第一信号的输入接口以及输出接口与所述第一绝缘层中的第一过孔以及第二过孔均不交叠，且所述第二信号的输入接口以及输出接口与所述第一绝缘层中的第一过孔以及第二过孔均不交叠。13.根据权利要求3所述的集成电路的设计方法，其中，在所述初始设计方案中，所述多个导电层中还包括第三相邻导电层，所述第三相邻导电层位于所述第二相邻导电层的远离所述第一相邻导电层的一侧，所述第一导电部和所述第二导电部还至少通过所述第三相邻导电层；在所述层叠方向上，所述第二相邻导电层中的第一子部与所述第三相邻导电层中的第一子部以及第二子部均至少部分交叠，所述第二相邻导电层中的第二子部与所述第三相邻导电层中的第一子部以及第二子部均至少部分交叠。14.根据权利要求13所述的集成电路的设计方法，其中，所述第三相邻导电层中的第一子部与第二子部之间彼此间隔且绝缘，且相对于第四基准点呈中心对称设置；
所述集成电路还包括位于所述第二相邻导电层与所述第三相邻导电层之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括至少一个第三过孔和至少一个第四过孔，所述第三过孔和所述第四过孔贯穿所述第二绝缘层，且用于设置所述第一连接部和所述第二连接部，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张孝珩，朴相敏，
申请(专利权)人：合肥奕斯伟集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：