【技术实现步骤摘要】
一种mos管导通情况下的电容提取方法
[0001]本专利技术涉及半导体集成电路自动化中的后端版图设计、电阻/电容提取
，特别是涉及mos管导通情况下的电容提取方法。
技术介绍
[0002]在平板显示设计中，需要提取场效应管导通的情况，通常会将半导体图形的一部分分到source端，一部分分到drain端，提取场效应管导通情况下的像素电容。
技术实现思路
[0003]为了解决现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种mos管导通情况下的电容提取方法，计算mos管导通情况下的线网的电容情况，基于电容结果，进一步改进像素显示性能。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供的mos管导通情况下的电容提取方法，包括以下步骤：
[0005]1)根据版图中的半导体图形，获取其连通的源极网络和漏极网络；
[0006]2)将半导体图形分别与源极网络和漏极网络图形做交，并将相交图形进行属性标记；
[0007]3)对半导体图形与源极网络和漏极网络不相交的图形边界进行网格划分，得到图形集合
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种mos管导通情况下的电容提取方法，其特征在于，包括以下步骤：1）根据版图中的半导体图形，获取其连通的源极网络和漏极网络；2）将半导体图形分别与源极网络和漏极网络图形做交，并将相交图形进行属性标记；3）对半导体图形与源极网络和漏极网络不相交的图形边界进行网格划分，得到图形集合并进行属性标记；4）根据新的源极网络和漏极网络，做电容提取并得到mos管导通状态下的电容。2.根据权利要求1所述的mos管导通情况下的电容提取方法，其特征在于，所述步骤3）还包括：将半导体图形与源极网络和漏极网络不相交的图形边界离散为多个正方形网格。3.根据权利要求2所述的mos管导通情况下的电容提取方法，其特征在于，针对每一个正方形网格，分别计算出网格到源极网络和漏极网络图形的最短距离，分别存储到源极组和漏极组。4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：李相启，陆涛涛，刘伟平，
申请(专利权)人：北京华大九天科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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