一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片技术

本申请实施例提供一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片，涉及光伏电池领域。用于硅片的扩散方法包括以下步骤：先将预处理后的硅片进行一次沉积处理，温度为700～780℃，然后进行二次沉积处理，温度为720～800℃，二次沉积处理的温度高于一次沉积处理的温度；再将硅片进行一次推结处理，温度为800～840℃；随后将硅片进行二次推结处理，温度为840～880℃；一次推结处理的温度高于二次沉积的温度，低于二次推结处理的温度。使用该扩散方法得到的光伏硅片，其硅片表面掺杂浓度低，内部掺杂浓度高且均匀，硅片的表面复合作用小，少子的寿命长，用于太阳能电池时，能得到光转化效率高的太阳能电池。电池。电池。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片


[0001]本申请涉及光伏电池领域，具体而言，涉及一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片。

技术介绍

[0002]晶硅太阳能电池中，需要对硅片进行扩散处理，降低硅片的表面掺杂浓度，提升硅片的内部掺杂浓度，进而提升电池的光转化效率，降低电池衰减率。
[0003]目前的扩散方式并不能很好地降低硅片的表面掺杂浓度，也很难进一步提升硅片的内部掺杂浓度，电池的光转化效率仍有待提升，电池效率的衰减率仍有待降低。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片，使用该扩散方法处理硅片后，能降低硅片的表面掺杂浓度，提升硅片的内部掺杂浓度，从而极大地减少硅片的表面复合，提升硅片内的少子寿命，将该种光伏硅片用于制备光伏电池时，能提高电池的能量转化效率。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种用于硅片的扩散方法，其包括以下步骤：先将预处理后的硅片进行一次沉积处理，然后进行二次沉积处理，二次沉积处理的温度高于一次沉积处理的温度；再将硅片进行一次推结处理；随后将硅片进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于硅片的扩散方法，其特征在于，其包括以下步骤：先将预处理后的硅片进行一次沉积处理，然后进行二次沉积处理，所述二次沉积处理的温度高于所述一次沉积处理的温度；再将所述硅片进行一次推结处理；随后将所述硅片进行二次推结处理；所述一次推结处理的温度高于所述二次沉积的温度，低于所述二次推结处理的温度。2.根据权利要求1所述的用于硅片的扩散方法，其特征在于，所述一次沉积处理的温度为700～780℃；和/或，所述二次沉积处理的温度为720～800℃；和/或，所述一次推结处理的温度为800～840℃；和/或，所述二次推结处理的温度为840～880℃；和/或，所述二次沉积处理的温度高于所述一次沉积处理的温度10～30℃；和/或，所述二次推结处理的温度高于所述一次推结处理的温度20～40℃。3.根据权利要求1所述的用于硅片的扩散方法，其特征在于，所述一次推结处理的时间为360～700s，所述二次推结处理的时间为200～500s，所述一次推结处理的时间长于所述二次推结处理的时间。4.根据权利要求1所述的用于硅片的扩散方法，其特征在于，所述沉积处理的步骤包括：所述一次沉积处理的时间为200～500s；和/或，所述二次沉积处理的时间为200～500...

【专利技术属性】
技术研发人员：李红飞，徐冠群，郑傲然，夏伟，吉克超，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：