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本申请实施例提供一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片，涉及光伏电池领域。用于硅片的扩散方法包括以下步骤：先将预处理后的硅片进行一次沉积处理，温度为700～780℃，然后进行二次沉积处理，温度为720～800℃，二次沉积处理的温度高于一次沉积处理...
该专利属于通威太阳能(安徽)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通威太阳能(安徽)有限公司授权不得商用。

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