一种LED芯片干法蚀刻的碳化硅载盘制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED芯片干法蚀刻的碳化硅载盘，属于载盘技术领域，包括载盘本体，载盘本体上设有若干个载片槽，若干个载片槽包括第一载片槽群和第二载片槽群，第一载片槽群设于载盘本体的中心位置，且相邻第一载片槽呈相切设置，第二载片槽群以载盘本体的中心为圆心阵列于载盘本体的边缘，在第一载片槽群和第二载片槽群上还设有凹槽，设置在第一载片槽群和第二载片槽群上的凹槽都位于相同一侧，本装置在不损失芯片性能、不影响工业生产操作流程的前提下，实现最大程度利用载盘本体的可用空间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片干法蚀刻的碳化硅载盘


[0001]本技术涉及载盘
，具体为一种LED芯片干法蚀刻的碳化硅载盘。

技术介绍

[0002]碳化硅载盘用于刻蚀、蒸镀、气体沉淀等方面，例如，在对半导体衬底进行刻蚀时，需通过碳化硅载盘承载半导体衬底。
[0003]目前LED芯片行业内，芯片生产线以4英寸为主，芯片的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片芯片。随着工业降本增效的推进，使得工业生产的治具存在改造、优化的空间。在LED芯片生产中，一种重要的加工工艺：干法蚀刻，LED业内的主流机台使用的是NMC ELEDE
‑
G380C型ICP(电感耦合等离子刻蚀机)，该工艺对治具需求量很大，主要使用的治具是碳化硅载盘。
[0004]目前NMC ELEDE
‑
G380C型ICP(电感耦合等离子刻蚀机)的碳化硅载盘的设计都是九个载片槽，该载盘实际使用空间小、容量小，存在明显的载盘未利用空间，这在工业生产中不仅影响产能，而且浪费物料、人力、设备的成本。

技术实现思路

[0005]基于此，本技术的目的是提供一种LED芯片干法蚀刻的碳化硅载盘，以解决
技术介绍
中载盘有未利用空间的问题。
[0006]根据本技术实施例当中的一种LED芯片干法蚀刻的碳化硅载盘，包括载盘本体；
[0007]在所述载盘本体上设有若干个载片槽；
[0008]所述若干个载片槽包括第一载片槽群和第二载片槽群，所述第一载片槽群设于所述载盘本体的中心位置，且相邻所述第一载片槽呈相切设置，所述第二载片槽群以所述载盘本体的中心为圆心阵列于所述载盘本体的边缘；
[0009]在所述第一载片槽群和所述第二载片槽群上还设有凹槽，设置在所述第一载片槽群和所述第二载片槽群上的所述凹槽都位于相同一侧。
[0010]进一步地，所述载盘本体与所述若干个载片槽的横截面均呈圆形设置，且相邻所述载片槽贯通连接。
[0011]进一步地，所述第二载片槽群上的所述载片槽均内切于所述载盘本体，且每个所述载片槽的直径相等。
[0012]进一步地，靠近所述第二载片槽群的所述第一载片槽，其与所述第二载片槽群的部分所述载片槽相切。
[0013]进一步地，所述凹槽呈圆形设置。
[0014]进一步地，每个所述载片槽的内壁均设置为光滑的平面。
[0015]进一步地，在所述载盘本体上还设有对位点。
[0016]进一步地，所述对位点设于所述载盘本体的边缘，且所述对位点为拱形状结构。
[0017]综上所述，本实用的有益效果为：
[0018]通过对第一载片槽群与第二载片槽群位置的限定，使得在实际情况中，一个载盘本体上可排列10个载片槽，实现最大程度利用载盘本体的可用空间，改变了以往每次生产加工只能做九片，也即是说现在每次生产加工能做十片；通过载片槽数量增加的同时，且不影响生产加工操作效率、不损失产品良率、不降低产品质量情况下，提升了产能、降低了成本，因此本技术方案具有工业生产降本增效的技术效果。
附图说明
[0019]图1是本技术载盘本体的正视图；
[0020]图2是本技术载盘本体的侧视图；
[0021]图3是本技术载盘本体的后视图；
[0022]图4是本技术对位点的放大示意图。
[0023]图中：1、第一载片槽；2、第二载片槽；3、第三载片槽；4、第四载片槽；5、第五载片槽；6、第六载片槽；7、第七载片槽；8、第八载片槽；9、第九载片槽；10、第十载片槽；11、凹槽；12、对位点；13、载盘本体。
具体实施方式
[0024]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的若干实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
[0025]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0026]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0027]请参阅图1至图4，所示为本技术第一实施例中的一种LED芯片干法蚀刻的碳化硅载盘，包括载盘本体13和若干个载片槽，若干个载片槽包括第一载片槽群和第二载片槽群，二者均设置载盘本体13上，其中；
[0028]在实际情况中，第一载片槽群包括第一载片槽1和第二载片槽2；第二载片槽群包括第三载片槽3、第四载片槽4、第五载片槽5、第六载片槽6、第七载片槽7、第八载片槽8、第九载片槽9和第十载片槽10，10个载片槽均设置在载盘本体13上，其中第一载片槽1和第二载片槽2位于载盘本体13的中心位置，并且第一载片槽1和第二载片槽2均与载盘本体13的径向中心线相切，第二载片槽群以载盘本体13的中心为圆心阵列于载盘本体13的边缘，具体来说第三载片槽3、第四载片槽4、第五载片槽5、第六载片槽6、第七载片槽7、第八载片槽8、第九载片槽9和第十载片槽10内切于载盘本体13，并且第一载片槽1和第二载片槽2分别
与第六载片槽6、第七载片槽7和第三载片槽3、第十载片槽10相切，及在实际情况中，对第一载片槽群与第二载片槽群位置的限定，使得在一个载盘本体13上可排列10个载片槽，实现最大程度利用载盘本体13的可用空间，改变了以往每次生产加工只能做九片，也即是说现在每次生产加工能做十片；通过载片槽数量增加的同时，且不影响生产加工操作效率、不损失产品良率、不降低产品质量情况下，提升了产能、降低了成本，因此本技术方案具有工业生产降本增效的技术效果。
[0029]第二实施例：
[0030]载盘本体13与若干个载片槽的横截面均呈圆形设置，且相邻载片槽贯通连接，及一个载盘本体13内的若干个载片槽均为同种规格，使得在实际操作时，能够满足4英寸芯片的取出与放入，不存在芯片放不出来、取不出来的情况(实例并非限定)具体来说，载盘本体13为圆形的片状体结构，且载盘本体13采用的是碳化硅载盘。
[0031]本实施例与第一实施例不同效果在于，对剩余载片槽位置的限定，及进一步为载片槽的位置设定提供有效区域，减少对载盘本体13可用区域的浪费。
[0032]第三实施例：
[0033]每个载片槽上还设有凹槽11，凹槽11设于载片槽的一侧，且每个凹槽11设置于每个载片槽的相同一侧，凹槽11呈圆形设置，具体来说，每个凹槽11均设置在每个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片干法蚀刻的碳化硅载盘，其特征在于，包括，载盘本体；在所述载盘本体上设有若干个载片槽；所述若干个载片槽包括第一载片槽群和第二载片槽群，所述第一载片槽群设于所述载盘本体的中心位置，且相邻所述第一载片槽呈相切设置，所述第二载片槽群以所述载盘本体的中心为圆心阵列于所述载盘本体的边缘；在所述第一载片槽群和所述第二载片槽群上还设有凹槽，设置在所述第一载片槽群和所述第二载片槽群上的所述凹槽都位于相同一侧。2.根据权利要求1所述的一种LED芯片干法蚀刻的碳化硅载盘，其特征在于：所述载盘本体与所述若干个载片槽的横截面均呈圆形设置，且相邻所述载片槽贯通连接。3.根据权利要求2所述的一种LED芯片干法蚀刻的碳化硅载盘，其特征在于：所述第二载片槽群上的所述载片槽均内切于所述载...

【专利技术属性】
技术研发人员：许明明，董国庆，文国昇，董建民，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：