高可靠性LED芯片及其制备方法、显示屏技术

本发明专利技术涉及发光二极管制造技术领域，尤其涉及一种高可靠性LED芯片及其制备方法、显示屏。制备方法包括：提供外延片；形成导电台阶、刻蚀槽；形成第一钝化层、第二钝化层；将第二钝化层图案化，以使第二钝化层覆盖刻蚀槽的侧壁，并沿导电台阶的底壁延伸第一预设距离L1，沿刻蚀槽的底壁延伸第二预设距离L2；形成第三钝化层；开孔并形成第一电极、第二电极。其中，第三钝化层、第一钝化层的沉积速率相同，且小于第二钝化层的沉积速率。L1≥1.5μm，L2≥1.5μm；实施本发明专利技术，可提升LED芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管制造，尤其涉及一种高可靠性led芯片及其制备方法、显示屏。

技术介绍

1、近年来，基于红绿蓝三色led芯片的显示屏市场急剧扩张，需求旺盛；这种用于显示屏的led芯片需要在不同地域、不同环境下的户外条件下使用，这就对其耐高温性能提出了较高的要求。进一步地，随着显示屏用led芯片逐渐小型化，单个显示屏器件中集成的led芯片越来越多，其产热也越来越多，进而也对单个led芯片的耐高温性能提出了更高的要求。

2、led芯片的耐高温高湿性能主要取决于其表面的绝缘保护膜，其一般为al2o3膜、sinx膜、sio2膜中的一者或至少两者的组合。针对目前最广泛应用的sio2膜而言，其一般通过pecvd法制备。而为了优化sio2膜的耐高温高湿性能，往往要求其具有较高的致密性，因此一般采用较低的沉积速率沉积，以提升结晶尺寸，结晶质量，提升膜层致密性。同时，膜层致密度高也意味着膜层透明性更高，光提取效率高。但是，sio2膜的晶粒尺寸较大时，难以与刻蚀侧壁形成良好的结合，即两者之间会存在间隙，这导致在高温高湿使用过程中湿气会从间隙进入led芯片内部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高可靠性LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的高可靠性LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层均为SiO2层，且均通过PECVD法沉积；和/或

3.如权利要求2所述的高可靠性LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二钝化层沉积温度小于所述第一钝化层的沉积温度；

4.如权利要求2所述的高可靠性LED芯片的制备方法，其特征在于，沉积所述第一钝化层的工艺条件包括：RF功率为80~100W，SiH4流量为60~100sccm，N2O的流量为1800~2000sccm，温度为270~300...

【技术特征摘要】

1.一种高可靠性led芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的高可靠性led芯片的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层均为sio2层，且均通过pecvd法沉积；和/或

3.如权利要求2所述的高可靠性led芯片的制备方法，其特征在于，所述第二钝化层沉积温度小于所述第一钝化层的沉积温度；

4.如权利要求2所述的高可靠性led芯片的制备方法，其特征在于，沉积所述第一钝化层的工艺条件包括：rf功率为80~100w，sih4流量为60~100sccm，n2o的流量为1800~2000sccm，温度为270~300℃。

5.如权利要求4所述的高可靠性led芯片的制备方法，其特征在于，沉积所述第二钝化层的工艺条件包括：rf功率为60~80w，sih4流量为120~200sccm，n2o的流量为1000~1800sccm，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雪，李美玲，张星星，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：