覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置，包括底板，所述底板的下表面固定连接有第一支撑腿、第二支撑腿，所述底板的上表面固定连接有滑轨，所述滑轨的上方滑动连接有工作台，所述底板的前部设置有通道，所述底板的下表面设置有推动气缸，所述推动气缸的输出端与连接架固定连接。本实用新型专利技术中，设置了推动气缸、连接架、通道、工作台、滑轨、限位块，在放置基片主体时，推动气缸可以推动工作台移出，方便放置基片主体，同时，增加了使用的安全性，限位块可以对基片主体进行限位，保证加工的质量良好，同时，对于不同厚度的限位需求，可以对限位块进行更换，使用不同厚度的限位块，使用的范围较广。的范围较广。的范围较广。

【技术实现步骤摘要】
覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置


[0001]本技术涉及陶瓷基片加工
，尤其涉及覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置。

技术介绍

[0002]氧化铍陶瓷是以氧化铍为主要成分的陶瓷，主要用作大规模集成电路基板，大功率气体激光管，晶体管的散热片外壳，微波输出窗和中子减速剂等材料，在集成电路制造过程中，需要在覆铜陶瓷基片上进行数百道工艺，因此，必须采用具有一定厚度的覆铜陶瓷基片，而在完成集成电路制作之后，需要对集成电路进行封装。在集成电路封装前，需要对覆铜陶瓷基片的进行减薄，一方面改善芯片的散热效果，另一方面有利于减小封装尺寸。
[0003]现有的技术中，对覆铜陶瓷基片减薄时，需要将覆铜陶瓷片放置在工作台上，工作台无法移动，人员容易出现加工过程中误伤的情况，使用起来不够安全。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置，包括底板，所述底板的下表面固定连接有第一支撑腿、第二支撑腿，所述底板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置，包括底板(1)，其特征在于：所述底板(1)的下表面固定连接有第一支撑腿(101)、第二支撑腿(102)，所述底板(1)的上表面固定连接有滑轨(5)，所述滑轨(5)的上方滑动连接有工作台(402)，所述底板(1)的前部设置有通道(501)，所述底板(1)的下表面设置有推动气缸(502)，所述推动气缸(502)的输出端与连接架(503)固定连接，所述工作台(402)的上表面可拆卸连接有限位块(401)；所述底板(1)的上表面固定连接有滑杆(103)，所述滑杆(103)的上表面固定连接有顶板(104)，所述顶板(104)的上表面设置有液压推杆(2)，所述液压推杆(2)的输出端固定连接有移动板(105)，所述移动板(105)的下表面固定连接有安装架(301)，所述安装架(301)的上表面设置有打磨电机(3)，所述打磨电机(3)的输出端固定连接有打磨盘(302)。2.根据权利要求1所述的覆铜氧化铍陶瓷基片减薄装置，其特征在于：所述工作台(402)的上表面设置有基片主体(4)，所述基片...

【专利技术属性】
技术研发人员：江树昌，陈光明，张健凌，张绍甫，
申请(专利权)人：中鸣宁德科技装备制造有限公司，
类型：新型
国别省市：