防光串扰Micro-LED芯片结构、制备方法以及Micro-LED显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种防光串扰Micro

【技术实现步骤摘要】
防光串扰Micro
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LED芯片结构、制备方法以及Micro
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LED显示装置


[0001]本专利技术涉及Micro
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LED显示，尤其涉及一种防光串扰Micro
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LED芯片结构、制备方法及Micro
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LED显示装置。

技术介绍

[0002]随着技术的发展，LED芯片越来越趋向于微型化和集成化，Micro
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LED随之诞生，受到人们的广泛关注。
[0003]Micro
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LED微显示器要实现全彩显示，还有像素间光线串扰问题亟待解决。Micro
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LED微显示器像素尺寸小、单位面积上像素密度高。LED像素发出的光线透过衬底射出，由于衬底的导波效应，LED像素发出的光会传播到邻近的像素所对应的衬底表面，造成像素间光线的串扰。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种防光串扰Micro
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LED芯片结构、制备方法及Micro
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：透明基板；多个LED像素单元，位于所述透明基板上，每个LED像素单元均包括自所述透明基板由下往上依次堆叠的N型外延层、发光层和P型外延层；其中，所述N型外延层具有mesa台阶；相邻两个LED像素单元之间通过第一沟槽间隔开，所述第一沟槽贯穿所述P型外延层、发光层以及N型外延层，直至所述透明基板；N电极单元，设置于所述透明基板的边缘上，具有导电功能；吸光层，设置在所述第一沟槽所在的透明基板上、以及所述N电极单元与其相邻的LED像素单元之间的所述透明基板上；所述吸光层的材料为黑色导电材料；金属导电层，覆盖在每个LED像素单元的N型外延层的mesa台阶的两侧与侧壁上以及所述吸光层上，以使得所有的LED像素单元的N型外延层电性连接；且所有的LED像素单元的N型外延层电性连接至所述N电极单元；绝缘层，填充在相邻两个LED像素单元之间以及所述N电极单元与其相邻的LED像素单元之间，覆盖所述金属导电层、所述mesa台阶的上表面、所述P型外延层的上表面以及所述N电极单元的上表面；P电极，贯穿所述绝缘层后设置于所述LED像素单元的P型外延层上；N电极，贯穿所述绝缘层后设置于所述N电极单元上。2.根据权利要求1所述的防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，所述金属导电层还具有反射镜功能，作为反射镜层；其材料为Ni、Ag、Al、Ti、Pt、Cr、TiWu或Au。3.根据权利要求1或2所述的防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，所述mesa台阶的侧壁为斜面，倾斜角度为60
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90度。4.根据权利要求1所述的防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，还包括第一微结构，所述第一微结构形成在相邻两个LED像素单元之间、以及所述N电极单元与其相邻的LED像素单元之间的所述透明基板上。5.根据权利要求4所述的防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，所述第一微结构为V型沟槽或者条状沟槽。6.根据权利要求1或4所述的防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，还包括第二微结构，所述第二微结构形成在所有LED像素单元的底部。7.根据权利要求1所述的防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，所述吸光层的材料为黑色金属材料或导电黑胶。8.据权利要求7所述的防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，所述黑色金属材料具体为Cr、Wu或TiWu的任一种或其组合。9.据权利要求7所述的防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，所述导电黑胶包括黑胶层以及覆盖在所述黑胶层上的金属层。10.根据权利要求1所述的防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，所有的P电极与所有的N电极的上表面位于同一水平面。11.据权利要求1或10所述的防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，所述N电极单元为导电金属。12.据权利要求1或10所述的防光串扰Micro
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LED芯片结构，其特征在于，所述N电极单
元包括在透明基板上由下往上依次堆叠的N型外延层、发光层和P型外延层；且所述N电极单元的表面及其侧面覆盖有所述金属导电层。13.根据权利要求1所述的防光串扰Micro<...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，袁根如，陈朋，马后永，张楠，马艳红，闫鹏，
申请(专利权)人：上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：