包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件。一种半导体器件包含由宽带隙半导体材料制成的半导体本体。多个第一接合区域连接到半导体器件的第一负载端子。第一栅极指状物布置在第一接合区域之间。第一栅极指状物在第一横向方向上延伸并且从第一栅极线部分和第二栅极线部分中的至少一个分叉。第二栅极指状物在第一横向方向上延伸。第一栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第一长度大于第二栅极指状物中的任一个沿着第一横向方向的第二长度。第一长度和第二长度的和等于或大于沿着第一横向方向在第一栅极线部分与第二栅极线部分之间的横向距离。线部分与第二栅极线部分之间的横向距离。线部分与第二栅极线部分之间的横向距离。

【技术实现步骤摘要】
包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件


[0001]本专利技术涉及包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件。

技术介绍

[0002]宽带隙半导体器件基于具有至少2 eV或至少3 eV的带隙的半导体材料，并且允许与常规的基于硅的半导体器件相比更低的导通状态电阻和更高的电流密度。当在宽带隙半导体器件（诸如例如场效应晶体管（FET）或绝缘栅双极型晶体管（IGBT））中以高频率切换高电流密度时，期望跨越晶体管单元阵列的有源区域的均匀电流分布以用于避免过大的应力，所述过大的应力可能由不均匀的电流分布导致并且所述过大的应力可能使半导体器件的可靠性下降。
[0003]期望提高跨越宽带隙半导体器件的有源区域的负载电流分布的均匀性。

技术实现思路

[0004]本公开内容涉及一种包括由宽带隙半导体材料制成的半导体本体的半导体器件。多个第一接合区域电连接到半导体器件的第一负载端子。第一栅极指状物布置在第一接合区域之间。第一栅极指状物在第一横向方向上延伸并且从第一栅极线部分和第二栅极线部分中的至少一个分叉。第二栅极指状物在第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：由宽带隙半导体材料制成的半导体本体；连接到所述半导体器件的第一负载端子的多个第一接合区域；布置在所述第一接合区域之间的第一栅极指状物，其中所述第一栅极指状物在第一横向方向上延伸并且从第一栅极线部分和第二栅极线部分中的至少一个分叉；在所述第一横向方向上延伸的第二栅极指状物；并且其中所述第一栅极指状物沿着所述第一横向方向的第一长度大于所述第二栅极指状物沿着所述第一横向方向的第二长度，并且所述第一长度和所述第二长度的和等于或大于沿着所述第一横向方向在所述第一栅极线部分与所述第二栅极线部分之间的横向距离；其中沿着所述第一横向方向的所述第一长度大于在所述第一栅极指状物之间沿着所述第二横向方向的第一横向距离。2.一种半导体器件，包括：由宽带隙半导体材料制成的半导体本体；连接到所述半导体器件的第一负载端子的多个第一接合区域；布置在所述第一接合区域之间的第一栅极指状物，其中所述第一栅极指状物在第一横向方向上延伸并且从第一栅极线部分和第二栅极线部分中的至少一个分叉；在所述第一横向方向上延伸的第二栅极指状物；并且其中所述第一栅极指状物沿着所述第一横向方向的第一长度大于所述第二栅极指状物沿着所述第一横向方向的第二长度，并且所述第一长度和所述第二长度的和等于或大于沿着所述第一横向方向在所述第一栅极线部分与所述第二栅极线部分之间的横向距离；其中所述第一栅极指状物和所述第二栅极指状物在第二横向方向上交替布置。3.根据前述权利要求1
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2中的任一项所述的半导体器件，其中所述第二栅极指状物布置在所述第一栅极指状物之间。4.根据前述权利要求1
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2中的任一项所述的半导体器件，其中所述第一栅极指状物和所述第一接合区域沿着第二横向方向交替布置。5.根据前述权利要求1
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2中的任一项所述的半导体器件，此外包括沿着第二横向方向延伸的栅极结构。6.根据前述权利要求1
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2中的任一项所述的半导体器件，其中在所述第一栅极指状物之间的第一横向距离与在所述第二栅极指状物之间的第二横向距离对应。7.根据前述权利要求1
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2中的任一项所述的半导体器件，其中所述第二长度小于在所述第二栅极指状物之间的第二横向距离。8.根据前述权利要求1
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2中的任一项所述的半导体器件，其中所述第一长度在0.2mm与10mm之间，并且在所述第一栅极指状物之间的第一横向距离在0.1mm与1.5mm之间。9.根据前述权利要求1
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2中的任一项所述的半导体器件，其中所述第二长度小于在所述第二栅极指状物之间的第二横向距离的60%。10.根据前述权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：D彼得斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：