半导体装置制造方法及图纸

具备源电极、漏电极和控制在源电极与漏电极之间流过的电流的栅极。并且，若将栅极与漏电极之间的电容设为第一电容Cgd，将栅极与源电极之间的电容设为第二电容Cgs，将第一电容Cgd与第二电容Cgs之和设为第三电容Ciss，将用电流变化率dI/dt规定的第一开关损耗Et(dI/dt)与用电压变化率dV/dt规定的第二开关损耗Et(dV/dt)之和设为总开关损耗Esum，则第一电容Cgd相对于第三电容Ciss的电容比Cgd/Ciss被设为总开关损耗Esum低于规定阈值的比。设为总开关损耗Esum低于规定阈值的比。设为总开关损耗Esum低于规定阈值的比。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请是基于2019年9月17日提交的日本专利申请第2019
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168543号的申请，在此通过参照来整合其记载内容。


[0003]本公开涉及具有栅极的半导体装置。

技术介绍

[0004]作为用于逆变器、DC/DC转换器等的开关元件，从以往就提出了具有栅极的半导体装置(例如，参照非专利文献1)。具体而言，该半导体装置被设为具有栅极、源极、漏极的结构。并且，在该半导体装置中，构成为能够通过削减米勒电荷Qgd来降低开关损耗。
[0005]现有技术文献
[0006]非专利文献
[0007]非专利文献1：Syotaro Ono、Yoshihiro Yamaguchi、Yusuke Kawaguchi、Akio Nakagawa、30V Sub
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micron Shallow Junction Planar
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MOSFET for DC
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DC Converters、Proceedings 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具有栅极(15、116)，其特征在于，具备：源电极(25、120)；漏电极(26、121)；以及所述栅极，该栅极控制在所述源电极与所述漏电极之间流过的电流；若将所述栅极与所述漏电极之间的电容设为第一电容(Cgd)，将所述栅极与所述源电极之间的电容设为第二电容(Cgs)，将所述第一电容与所述第二电容之和设为第三电容(Ciss)，并且将用电流变化率(dI/dt)规定的第一开关损耗(Et(dI/dt))与用电压变化率(dV/dt)规定的第二开关损耗(Et(dV/dt))之和设为总开关损耗(Esum)，则所述第一电容相对于所述第三电容的电容比(Cgd/Ciss)被设为所述总开关损耗低于规定阈值的比。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，若将Vd设为电源电压，将Id设为动作电流，将Vm设为栅极米勒电位，将Vth设为栅极的阈值电压，将gm设为Id/(Vm
‑
Vth)，则所述电容比被设为下述数学式1以上且下述数学式2以下：[数学式1]Cgd/Ciss＝Id/(gm
×
Vd)[数学式2]Cgd/Ciss＝dI/dt/(gm
×
dV/dt)。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述电容比被设为下述数学式3：[数学式3]Cgd/Ciss＝1/gm
×
{(Id/Vd)
×
(dI/dt)/(dV/dt)}
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。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，具有：第一导电型的漂移层(13)；第一导电型的沟道层(14...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野宪司，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：