半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底，所述基底内具有凹槽；第一膜层，所述第一膜层覆盖所述凹槽底面和侧壁；第二膜层，所述第二膜层覆盖所述第一膜层表面，所述第二膜层的阶梯覆盖率不同于所述第一膜层的阶梯覆盖率。本发明专利技术实施例有利于获取具有预设阶梯覆盖率的多层结构。于获取具有预设阶梯覆盖率的多层结构。于获取具有预设阶梯覆盖率的多层结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有的膜层制备工艺都是致力于精确的膜厚控制、较高的阶梯覆盖率以及较好的膜厚均匀度，但是对于一些特殊膜层，需要在不改变膜层自身特性的情况下，降低阶梯覆盖率以达到电性上的要求。
[0003]目前，低压化学气相沉积工艺LPCVD可以实现较低的阶梯覆盖率，但是无法精准和稳定地控制阶梯覆盖率。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种半导体结构及其制作方法，有利于获取具有高阶梯覆盖率的多层结构。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底内具有凹槽；第一膜层，所述第一膜层覆盖所述凹槽底面和侧壁；第二膜层，所述第二膜层覆盖所述第一膜层表面，所述第二膜层的阶梯覆盖率不同于所述第一膜层的阶梯覆盖率。
[0006]另外，所述第二膜层的阶梯覆盖率大于所述第一膜层的阶梯覆盖率。
[0007]另外，所述第二膜层为多层结构，所述多层结构中至少两层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底内具有凹槽；第一膜层，所述第一膜层覆盖所述凹槽底面和侧壁；第二膜层，所述第二膜层覆盖所述第一膜层表面，所述第二膜层的阶梯覆盖率不同于所述第一膜层的阶梯覆盖率。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二膜层的阶梯覆盖率大于所述第一膜层的阶梯覆盖率。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二膜层为多层结构，所述多层结构中至少两层膜层的材料不同。4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽侧壁包括底部侧壁和顶部侧壁，在垂直于所述凹槽侧壁的方向上，覆盖所述底部侧壁的第一膜层的厚度小于覆盖所述顶部侧壁的第一膜层的厚度。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，在所述顶部侧壁向所述底部侧壁延伸的方向上，所述第一膜层的厚度递减。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一膜层的材料与所述第二膜层的材料相同。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一膜层与所述第二膜层构成栅介质层；还包括：栅极，所述栅极填充于所述凹槽内。8.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有凹槽；形成第一膜层，所述第一膜层覆盖所述凹槽底面和侧壁；形成第二膜层，所述第二膜层覆盖所述第一膜层表面，所述第二膜层的阶梯覆盖率不同于所述第一膜层的阶梯覆盖率。9.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李涛，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：