一种QFN或DFN的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种QFN或DFN的封装结构，包括框架基体和凹槽；所述框架基体包括基岛固定区和蚀刻区，所述基岛固定区设置于框架基体的中部；所述蚀刻区分布于基岛固定区的外侧；所述基岛固定区设有基岛，所述基岛上设有芯片，所述凹槽设置于基岛上并围绕芯片分布；通过在基岛上开设凹槽，塑封时，基岛上的熔融塑封料能够流入凹槽中，并在凹槽固化，增加了塑封料与基岛的结合面，有效增加了塑封料与框架基体的附着强度，提高了QFN封装的可靠性及芯片的稳定性，解决了在当前QFN或DFN封装中，由于塑封料熔融后与基岛的结合面小，影响塑封强度，进而出现影响QFN或DFN产品的可靠性及芯片稳定性的问题。片稳定性的问题。片稳定性的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种QFN或DFN的封装结构


[0001]本技术涉及一种QFN或DFN的封装结构，属于芯片封装


技术介绍

[0002]QFN或DFN封装流程简单，适用芯片类型较多，散热能力强，当前在QFN或DFN封装中，当基岛尺寸较小、芯片尺寸较大，贴片时，贴片胶易延展至基岛的边缘，过多的贴片胶外溢至基岛边缘易降低芯片的稳定性；同时，塑封料熔融后与基岛的结合面变小，使得塑封强度变减小进而失效；过多的贴片胶外溢出基岛以及塑封料与基岛之间附着强度失效易导致QFN或DFN产品稳定性和可靠性差的问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种QFN或DFN的封装结构，用以解决在当前QFN或DFN封装中，由于塑封料熔融后与基岛的结合面小，影响塑封强度，进而出现影响QFN或DFN产品的可靠性及芯片稳定性的问题。
[0004]为达到上述目的/为解决上述技术问题，本技术是采用下述技术方案实现的：一种QFN或DFN的封装结构，包括框架基体和凹槽；
[0005]所述框架基体包括基岛固定区和蚀刻区，所述基岛固定区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，包括框架基体和凹槽；所述框架基体包括基岛固定区和蚀刻区，所述基岛固定区设置于框架基体的中部；所述蚀刻区分布于基岛固定区的外侧；所述基岛固定区设有基岛，所述基岛上设有芯片，所述凹槽设置于基岛上并围绕芯片分布。2.根据权利要求1所述的一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，所述凹槽的数量为四个，所述凹槽为半蚀刻异形槽。3.根据权利要求2所述的一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，所述半蚀刻异形槽为十字形设置，十字形所述半蚀刻异形槽的宽度≥0.2.mm，十字形所述半蚀刻异形槽距离基岛的距离≥0.2mm，十字形所述半蚀刻异形槽的深度为框架基体厚度的1/2~2/3。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小林，张尚飞，张永银，穆云飞，
申请(专利权)人：南京矽邦半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：