一种功率可重构匹配电路及功率放大器制造技术

技术编号:33448134 阅读:30 留言:0更新日期:2022-05-19 00:33
本发明专利技术公开了一种功率可重构匹配电路,包括第一微带线TL1、第一偏置支路、第三微带线TL3、第二电容C2、第三电容C3、第四微带线TL4、重构支路、第六电容C6、第七微带线TL7、第九微带线TL9、第二偏置支路、第一输入端子P1、第二输入端子P8和输出端P4;第一微带线TL1、第三微带线TL3、第三电容C3、第四微带线TL4、重构支路、第六电容C6、第七微带线TL7、第九微带线TL9依次串联;第二电容C2的一端连接在第三微带线TL3和第三电容C3相连接的端子,另一端连接接地点G1;输出端P4与重构支路连接。本发明专利技术通过外加控制信号改变可重构元件的工作状态,实现功率放大器的不同功率模式的切换。功率放大器的不同功率模式的切换。功率放大器的不同功率模式的切换。

【技术实现步骤摘要】
一种功率可重构匹配电路及功率放大器


[0001]本专利技术涉及功率匹配电路及功率放大器,尤其涉及一种功率可重构匹配电路及功率放大器。

技术介绍

[0002]多功能一体化电子系统逐渐成为发展的主流。多功能一体化电子系统通过共用一套硬件设备能同时实现目标搜索和信号传输的功能,跟传统单一功能系统相比,具有节约平台资源等优势。但当同一套设备需要实现不同功能时,往往需要不同的发射功率,这就要求功率放大器本身能够实现功率可重构工作的特性。在通过开关实现功率切换的方式中,开关和功率放大器为单独设计后级联,这种实现方式并不能简化系统体积,并且发射效率低下。

技术实现思路

[0003]专利技术目的:本专利技术的目的是提供一种实现功率放大器在不同的调制信号进入时有不同输出功率的功率可重构匹配电路和功率放大器。
[0004]技术方案:本专利技术的功率可重构匹配电路,包括第一微带线TL1、第一偏置支路、第三微带线TL3、第二电容C2、第三电容C3、第四微带线TL4、重构支路、第六电容C6、第七微带线TL7、第九微带线TL9、第二偏置支路、第一输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率可重构匹配电路,其特征在于,包括第一微带线TL1、第一偏置支路、第三微带线TL3、第二电容C2、第三电容C3、第四微带线TL4、重构支路、第六电容C6、第七微带线TL7、第九微带线TL9、第二偏置支路、第一输入端子P1、第二输入端子P8和输出端P4;所述第一微带线TL1、第三微带线TL3、第三电容C3、第四微带线TL4、重构支路、第六电容C6、第七微带线TL7、第九微带线TL9依次串联;第二电容C2的一端连接在第三微带线TL3和第三电容C3相连接的端子,另一端连接接地点G1;输出端P4与重构支路连接;第一偏置支路连接在第一微带线TL1的输出端子和第一偏置电压源P2之间,第二偏置支路连接在第七微带线TL7的输出端子和第二偏置电压源P7之间;第一微带线TL1的输入端子和第九微带线TL9的输出端子分别为第一输入端子P1和第二输入端子P8。2.根据权利要求1所述的功率可重构匹配电路,其特征在于,所述重构支路包括第一晶体管K1、第五微带线TL5、第四电容C4、第六微带线TL6、第五电容C5、第二晶体管K2、第三晶体管K3;所述第五微带线TL5一端连接第四微带线TL4的输出端子,另一端与第六微带线TL6串联后连接第二晶体管K2的漏极;第一晶体管K1的漏极连接在第四微带线TL4与第五微带线TL5相连接的端子,源极连接设接地点G1,栅极联接第一控制电压源P3;第四电容C4一端连接在第五微带线TL5与第六微带线TL6相连接的端子,另一端连接接地点G1;第五电容C5连接在第六微带线TL6与第二晶体管K2的漏极相连接的端子和输出端P4之间;所述第二晶体管K2的源极连接在第六电容C6的输入端子,栅极接第二控制电压源P5;所述第三晶体管K3的漏极连接在第二晶体管K2的漏极与第六电容C6相连接的端子,源极连接接地点G1,栅极连接第三控制电压源P6。3.根据权利要求1所述的功率可重构匹配电路,其特征在于,所述第一偏置支路包括第一电容C1和第二微带线TL2;所述第二微带线TL2连接在第一微带线TL1与第三微带线TL3相连接的端子和第一偏置电压源P2之间,第一电容C1连接在第二微带...

【专利技术属性】
技术研发人员:张巍余旭明闫明松陶洪琪刘宪锁凌显宝
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所
类型:发明
国别省市:

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