载入载出腔及刻蚀设备系统技术方案

本发明专利技术提供一种载入载出腔及刻蚀设备系统，载入载出腔包括腔本体、承载结构及管路结构；腔本体设有进气口和出气口；承载结构位于腔本体的内部，承载结构可形成沿竖向间隔布置的至少一层放置层，放置层用于承载晶圆；管路结构包括进气管段、分气管段和至少一个出气管段；进气管段的一端位于进气口的范围之内；进气管段的另一端与分气管段连通，分气管段与出气管段连通；放置层的范围之内设置至少一个出气管段。如上配置，通过增加管路结构，可以使得每层放置层均设有至少一个出气管段，从而使得每层放置层上的晶圆可被出气管段出来的氮气对准吹扫，进而提高晶圆上残留气体的排出效率，降低晶圆缺陷率。降低晶圆缺陷率。降低晶圆缺陷率。

【技术实现步骤摘要】
载入载出腔及刻蚀设备系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种载入载出腔及刻蚀设备系统。

技术介绍

[0002]半导体制造工厂中，主要设备是制造设备，大部分制造设备都设有载入载出腔，用于固定放置晶圆，并最终将晶圆移动至工艺腔进行干法刻蚀。图1是晶圆有缺陷的示意图，如图1所示，随着晶圆01的尺寸越来越大，晶圆01的表面也越来越大，刻蚀加工完之后的晶圆01位于载入载出腔中，并且晶圆01自身会挥发残留气体02，如果不能及时去除残留气体，上下相邻的两片晶圆会相互影响，容易引起晶圆缺陷010。
[0003]目前的载入载出腔设有一个进气口和一个出气口，氮气从进气口进入载入载出腔中，从出气口排出载入载出腔，氮气用于吹拂晶圆以去除残留气体010。现有的载入载出腔由于仅设有一个进气口和一个出气口，导致残留气体02的排出效率不高，不利于提高晶圆的良品率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种载入载出腔及刻蚀设备系统，以解决载入载出中晶圆上的残留气体排出效率不高的问题。
[0005]为解决上述技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种载入载出腔，其特征在于，包括：腔本体，其设有进气口和出气口，用于供氮气自所述进气口进入所述腔本体，并自所述出气口排出所述腔本体；承载结构，其位于所述腔本体的内部，所述承载结构可形成沿竖向间隔布置的至少一层放置层，所述放置层用于承载晶圆；管路结构，其包括进气管段、分气管段和至少一个出气管段；所述进气管段的一端位于所述进气口的范围之内，使得所述氮气能够进入所述进气管段中；所述进气管段的另一端与所述分气管段连通，所述分气管段与所述出气管段连通；所述放置层的范围之内设置至少一个所述出气管段。2.根据权利要求1所述的载入载出腔，其特征在于，所述承载结构可形成至少两层所述放置层，且每层所述放置层的范围内设置至少两个所述出气管段。3.根据权利要求1所述的载入载出腔，其特征在于，所述承载结构包括底盘以及设于所述底盘上的两个支架；所述支架沿竖向延伸，且两个所述支架关于所述底盘的中心对称分布；所述支架具有沿所述底盘的径向向内延伸的至少一个承载部，其中一个所述支架的承载部和另一个所述支架的承载部共水平面排布形成所述放置层。4.根据权利要求1所述的载...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓必文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：