一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备，应用于射频芯片中，射频芯片中还包括依次连接的功率放大器、变压器、射频开关以及射频天线，保护电路包括：第一MOS器件和第二MOS器件，第一MOS器件和第二MOS器件均包括源极、漏极、栅极、有源区衬底、外围衬底以及设置在有源区衬底与外围衬底之间的隔离区；第一MOS器件的源极与漏极短接并与第二MOS器件的有源区衬底连接，第二MOS器件的源极与漏极短接并与第一MOS器件的有源区衬底连接，第一MOS器件的有源区衬底与射频天线连接，第二MOS器件的有源区衬底与射频开关的输入端连接。该保护电路能够在射频天线接收到极大静电信号时，将放电电流导入到地同时对电压进行钳位，从而起到保护的作用。从而起到保护的作用。从而起到保护的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]所谓静电放电(Electro
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Static Discharge，ESD)现象就是在集成电路的制造、运输或者使用的过程中，芯片的外部环境和内部结构会累积电荷，并会通过芯片管脚流入芯片内部。由于静电积累，瞬间通过芯片的电流可能会达到几个安培(A)，电压几千伏特(V)，这足以将整个芯片烧毁。据统计，超过30％的芯片失效都是由于ESD引起的，由此，需要对集成电路可靠性问题进行专门的研究。
[0003]静电放电(ESD)保护电路的设计目的就是防止正常工作电路成为ESD放电通路而遭到损坏，所以需要有一个低阻旁路将ESD电流引入电源。在电路正常工作时，ESD保护电路不能对正常电路工作状态产生影响，且需要保证ESD保护电路自身也不能够被损坏。
[0004]现有的ESD保护有片上防护和片外防护，片外防护涉及到外围防护器件的选择和设计，不做过多讨论。常用的片内ESD保护电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护电路，其特征在于，应用于射频芯片中，所述射频芯片中还包括依次连接的功率放大器、变压器、射频开关以及射频天线；所述保护电路包括：第一MOS器件和第二MOS器件，所述第一MOS器件和第二MOS器件均包括源极、漏极、栅极、有源区衬底、外围衬底以及设置在所述有源区衬底与所述外围衬底之间的隔离区；所述第一MOS器件的源极与漏极短接并与所述第二MOS器件的有源区衬底连接，所述第二MOS器件的源极与漏极短接并与所述第一MOS器件的有源区衬底连接，所述第一MOS器件的有源区衬底与所述射频天线连接，所述第二MOS器件的有源区衬底与所述射频开关的输入端连接；所述第一MOS器件以及所述第二MOS器件的外围衬底均接地，所述第一MOS器件的栅极以及隔离区均与电源端连接，所述第二MOS器件的栅极以及隔离区均与电源端连接。2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，包括：所述第一MOS器件以及所述第二MOS器件均为深N阱NMOS器件。3.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，包括：所述第一MOS器件以及所述第二MOS器件均为深P阱PMOS器件。4.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括：第一滤波电阻、第二滤波电阻以及第三滤波电阻；所述第一MOS器件以及所述第二MOS器件的外围衬底均通过所述第一滤波电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑜诚，沈昊宇，吴斌，
申请(专利权)人：浙江科睿微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：