SCR器件和芯片制造技术

本申请提供一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)器件，SCR器件包括高压P阱区和高压N阱区。所述高压P阱区依次设置有第一P+掺杂区和第一N+掺杂区。所述高压N阱区依次设置有第二P+掺杂区和第二N+掺杂区，所述第一N+掺杂区的下方设置有预设常压P阱区和/或所述第二P+掺杂区的下方设置有预设常压N阱区。本申请的SCR器件和芯片中，在高压P阱区中的第一N+掺杂区的下方构成预设常压P阱区和/或在高压N阱区中的第二P+掺杂区的下方构成预设常压N阱区，提高了SCR器件发射极注入载流子的复合效率，抑制SCR器件在导通过程中的再生反馈作用，提高维持电流，避免SCR器件在静电防护冲击下出现闩锁现象。电防护冲击下出现闩锁现象。电防护冲击下出现闩锁现象。

【技术实现步骤摘要】
SCR器件和芯片


[0001]本申请涉及集成电路的静电放电保护
，更具体而言，涉及一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)器件和芯片。

技术介绍

[0002]静电防护(Electro Static Discharge protection简称ESD防护)在芯片级可靠性设计中具有十分重要的地位，通过设计专用的ESD保护单元并将其放置在全芯片的防护网络中能够在瞬态、小电量、高电压的静电冲击下为集成电路内部的功能电路提供可靠有效的防护。
[0003]对于高压集成电路ESD防护设计，基于SCR的片上防护具有单位面积上最强泄放能力、低寄生电容以及结构简单等优势而广泛用作ESD保护结构。但传统SCR器件I
‑
V曲线具有很深的回滞，在使用时要避免闩锁现象(latch
‑
up)的发生。

技术实现思路

[0004]本申请实施方式提供一种SCR器件和芯片，至少用于解决SCR器件在使用时发生闩锁现象的问题。
[0005]本申请实施方式的SCR器件包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可控硅整流器SCR器件，其特征在于，包括：高压P阱区，所述高压P阱区依次设置有第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；及高压N阱区，所述高压N阱区依次设置有第二P+掺杂区和第二N+掺杂区，所述第一N+掺杂区的下方设置有预设常压P阱区和/或所述第二P+掺杂区的下方设置有预设常压N阱区。2.根据权利要求1所述的SCR器件，其特征在于，所述预设常压P阱区为常压5V P阱区，所述预设常压N阱区为常压5V N阱区。3.根据权利要求1所述的SCR器件，其特征在于，所述SCR器件还包括P型衬底，所述P型衬底上依次设置有所述高压P阱区和所述高压N阱区。4.根据权利要求3所述的SCR器件，其特征在于，所述高压P阱区和所述高压N阱区连接。5.根据权利要求1所述的SCR器件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王于波，胡毅，王源，贺俊敏，申子龙，毛航银，
申请(专利权)人：北京大学国网浙江省电力有限公司国家电网有限公司，
类型：发明
国别省市：