温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本申请提供一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)器件，SCR器件包括高压P阱区和高压N阱区。所述高压P阱区依次设置有第一P+掺杂区和第一N+掺杂区。所述高压N阱区依次设置有第二P+掺杂区和第二N...该专利属于北京大学国网浙江省电力有限公司国家电网有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学国网浙江省电力有限公司国家电网有限公司授权不得商用。