制造绝缘体上硅锗的方法技术

本发明专利技术涉及制造绝缘体上硅锗的方法。所公开的方法适合于制造绝缘体上SiGe结构。根据该方法的一些实施例，在包括超薄硅顶层的绝缘体上硅衬底上沉积包含SiGe的层。在一些实施例中，通过外延沉积来沉积所述包含SiGe的层。在一些实施例中，SiGe外延层是高质量的，因为它是通过在Si/掩埋氧化物界面处设计应变弛豫而产生的。在一些实施例中，该方法实现了在弱键合到下伏氧化物的数个单层厚Si层上生长的SiGe的弹性应变弛豫。SiGe的弹性应变弛豫。SiGe的弹性应变弛豫。

【技术实现步骤摘要】
制造绝缘体上硅锗的方法
[0001]本申请是申请日为2016年5月18日、PCT国际申请号为PCT/US2016/033097、中国国家阶段申请号为201680031749.X、专利技术名称为“制造绝缘体上硅锗的方法”的申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求2015年6月1日提交的编号为62/169,178的美国临时专利申请的优先权，通过引用将其全部公开内容并入本文中。


[0004]本专利技术一般地涉及半导体晶片制造领域。更具体地说，本专利技术涉及用于形成绝缘体上半导体结构的方法。

技术介绍

[0005]半导体晶片通常从单晶锭(例如，硅锭)制备而成，该单晶锭被修整和研磨以具有一个或多个平坦部或缺口，以便在后续步骤中对晶片进行适当定向。然后将锭切成多个单独的晶片。虽然在此将参考由硅构造的半导体晶片，但是也可以使用其它材料来制备半导体晶片，例如锗、碳化硅、硅锗、砷化镓、以及诸如氮化镓或磷化铟的III族和V族元素的其它合金，或诸如硫化镉或氧化锌的II族和IV族元素的合金。<br/>[0006]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层结构，包括：绝缘体上硅衬底，其包括(i)单晶半导体处理层，其包括两个大致平行的主表面，其中一个是所述单晶半导体处理层的正面，另一个是所述单晶半导体处理层的背面；连接所述单晶半导体处理层的所述正面和所述背面的周缘；位于所述单晶半导体处理层的所述正面与所述背面之间并且与所述正面和所述背面平行的中心面；与所述中心面垂直的中心轴；以及位于所述单晶半导体处理层的所述正面与所述背面之间的体区域，(ii)介电层，其与所述单晶半导体处理层的所述正面界面接触，以及(ii)硅层，其与所述介电层界面接触，其中所述硅层具有沿着所述中心轴测量的约0.5纳米与约4纳米之间的厚度，并且其中所述硅层包括氢基封端的表面；第一硅锗层，其与所述硅层的所述氢基封端的表面界面接触，其中所述第一硅锗包含硅和锗并且具有化学式Si
x
Ge1‑
x
，其中x是约0.2与约0.8之间的摩尔比；以及第二硅锗层，其与所述第一硅锗层界面接触，其中所述第二硅锗层包含硅和锗并且具有化学式Si
y
Ge1‑
y
，其中y是约0.3与约0.9之间的摩尔比。2.根据权利要求1所述的多层结构，其中单晶半导体处理具有约3000ohm
‑
cm与约10000Ohm
‑
cm之间的电阻率。3.根据权利要求1所述的多层结构，其中包括所述氢基封端的表面的所述硅层具有沿着所述中心轴测量的约0.5纳米与约2纳米之间的厚度。4.根据权利要求1所述的多层结构，其中包括所述氢基封端的表面的所述硅层具有沿着所述中心轴测量的约1纳米与约2纳米之间的厚度。5.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述第一硅锗层具有沿着所述中心轴测量的约0.5纳米与约8...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：