温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及制造绝缘体上硅锗的方法。所公开的方法适合于制造绝缘体上SiGe结构。根据该方法的一些实施例，在包括超薄硅顶层的绝缘体上硅衬底上沉积包含SiGe的层。在一些实施例中，通过外延沉积来沉积所述包含SiGe的层。在一些实施例中，SiGe外...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。