湿法刻蚀的方法技术

一种湿法刻蚀的方法，包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层；对所述待刻蚀层进行若干次刻蚀处理，直至所述待刻蚀层的厚度达到目标厚度，每次所述刻蚀处理包括：进行第一步刻蚀，所述第一步刻蚀中，所述基底具有第一转速；在所述第一步刻蚀之后，进行第二步刻蚀，所述第二步刻蚀中，所述基底的转速由所述第一转速降低至第二转速，且所述基底表面的化学药液的液膜增至第一厚度；在所述第二步刻蚀之后，进行第三步刻蚀，所述基底具有第三转速，所述第三转速低于或等于所述第一转速，使所述化学药液液膜厚度足够厚，从而减少空气中的氧气进入待刻蚀层表面的机会，利于均匀的刻蚀，提高所述待刻蚀层表面的平整度，减少腐蚀坑缺陷产生的几率。的几率。的几率。

【技术实现步骤摘要】
湿法刻蚀的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种湿法刻蚀的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术不断发展，线宽不断缩小，对刻蚀的要求也越来越高，湿法刻蚀工艺相对于干法刻蚀工艺，对表面的损伤破坏较低，湿法刻蚀工艺在IC制造中得到越来越多的应用。
[0003]湿法刻蚀工艺采用刻蚀液对晶圆上进行刻蚀。湿法刻蚀工艺包括批量式湿法刻蚀和单片式湿法刻蚀。单片式湿法刻蚀技术相对批式刻蚀技术，可以降低清洗过程中交叉污染的风险，具有弹性的制程调整能力，成为湿法刻蚀工艺中的一项重要技术。
[0004]然而，现有的单片式晶圆湿法刻蚀工艺很难满足器件对平整度和无腐蚀坑的要求，湿法刻蚀技术有待进一步改善。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种湿法刻蚀的方法，以提高形成的晶圆的性能。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种湿法刻蚀的方法，包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层；对所述待刻蚀层进行若干次刻蚀处理，直至所述待刻蚀层的厚度达到目标厚度，每次所述刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层；对所述待刻蚀层进行若干次刻蚀处理，直至所述待刻蚀层的厚度达到目标厚度，每次所述刻蚀处理包括：进行第一步刻蚀，所述第一步刻蚀中，所述基底具有第一转速；在所述第一步刻蚀之后，进行第二步刻蚀，所述第二步刻蚀中，所述基底的转速由所述第一转速降低至第二转速，且所述基底表面的化学药液的液膜增至第一厚度；在所述第二步刻蚀之后，进行第三步刻蚀，所述基底具有第三转速，所述第三转速低于或等于所述第一转速。2.如权利要求1所述的湿法刻蚀的方法，其特征在于，所述化学药液包括无机酸；所述无机酸包括氢氟酸、盐酸和磷酸中的一种或者多种的结合。3.如权利要求1所述的湿法刻蚀的方法，其特征在于，所述化学药液包括有机酸；所述有机酸包括醋酸或草酸。4.如权利要求1所述的湿法刻蚀的方法，其特征在于，所述化学药液包括通入二氧化碳的去离子水溶液。5.如权利要求1所述的湿法刻蚀的方法，其特征在于，所述第一步刻蚀的参数包括：所述化学药液的流量范围为0.5升/分钟至2.5升/分钟，刻蚀时间范围为0秒至60秒，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙天杨，余桥，张晓山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：